久精品免费观看国产33,精品国产电影在线看免,在线观看aⅴ免费,久久99久久久一本精品

        • 您當前所在位置:首頁 > 宣傳資料 > 無機納米
          光催化材料的性能分析
          發(fā)布時間:2021-01-22     作者:zl   分享到:

          在光催化水解制氫實驗中,選擇合適的犧牲劑和反應(yīng)溶液是非常重要的。本文比較了甲醇(MeOH)、三乙醇胺(TEOA)、三甲胺(TMA)、乳酸(HL)和NagS/NagSO;等不同犧牲劑對TiF;-BPH析出速率的影響,如圖1所示,純水、乳酸、TMATEOA在紫外-可見光照射4 h下幾乎未檢測到H產(chǎn)生。甲醇體系的H釋放速率僅為NaS/NagSO3體系的一半左右。因此,本研究選擇NagS/NagSO3作為犧牲劑來測試所有樣品的光催化活性。犧牲劑中存在的 S2-/SO32會產(chǎn)生陷阱,捕獲光照下激發(fā)的空穴,增大電子空穴的分離速率,提高光催化活性,這也是我們?nèi)绱诉x擇的重要原因139]。犧牲試劑對光催化分解水制氫反應(yīng)具有重要影響,因為光催化分解水的pH值對H/H2還原電位以及光催化劑的導電/價帶電位都很敏感。

          image.png

          1 樣品分散在含不同犧牲劑的水溶液中對比圖

          如圖2 ( a)所示,水熱反應(yīng)后純TiO2和純BP在紫外-可見光照射4 h后析氫速率分別為283.9290.2 molh'g1。水熱法制備的純BP產(chǎn)氫率分別是文獻報道的138[361.6 molh 'g-1[60]2.1181.2倍。同時,P25-BP的產(chǎn)氫率比原始BP提高1.2倍,但只有TiF;-BP產(chǎn)氫率的55.4%,可能由于P25-BP中金紅石相經(jīng)氟化反應(yīng)生成Ti*較少。隨著納米二氧化鈦摻雜量的增加,催化活性和析氫速率逐漸降低。其原因是由于助催化劑過多而形成的電子-空穴復合中心降低了光載體在體內(nèi)的催化效率。實驗結(jié)果表明,TiF3具有促進電荷分離效率和轉(zhuǎn)移的作用,而BP表面的氧空位吸引了大量的光生空穴,提高了光載體在體內(nèi)的遷移速率,因此具有**的光催化性能。

          然而,由于Ti的相對原子比僅為2-5%,而且Ti不僅與F結(jié)合,同時還與PTiOz的殘余物結(jié)合,因此很難測定TiF3的比含量。圖2 (b)顯示了產(chǎn)氫量與時間的關(guān)系。經(jīng)4 h照射后,很清楚的可以看出除0.1 g 摻雜水平的TiF;-BP外,其他單體及復合材料均表現(xiàn)出平穩(wěn)的矩形,沒有明顯的增高,而在光照4 h0.1 g TiF;-BP獲得24.5 mol Hz產(chǎn)量,遠高于BP(~11.6 mol)TiOz(~11.4 mol)和商業(yè)P25(~13.6 mol)。且隨著TiOz含量的增加,產(chǎn)氫量逐漸減少。該結(jié)果的原因與上述速率降低的原因一致,過多的助催化劑反而不利于光催化反應(yīng)的進行,形成的電子空穴復合中心會大大降低光催化劑的轉(zhuǎn)換效率,降低光生電荷的遷移速率。

           image.png

          2  (a)產(chǎn)氫速率圖;(b)產(chǎn)氫產(chǎn)量圖

          為了證實加入助催化劑之后光催化劑穩(wěn)定性的大幅度提高,通過循環(huán)測試來證明上述結(jié)論。在連續(xù)3個循環(huán)的12h內(nèi),對TiF;-BP催化劑的穩(wěn)定性進行了測試,從圖3 (a)中可以看出,在H的連續(xù)演化過程中,催化劑的降解很少。在**個階段內(nèi)可以保持在82%的穩(wěn)定性,在第三個階段光照后可以保持在75%的穩(wěn)定性,這種穩(wěn)定性是由于在BP表面存在F,同時表面存在大量的含氧官能團形成的氧化層保護BP納米片免受進一步的水解和氧化。助催化劑的存在也**的保護了光催化劑的氧化降解,負載在BP表面的助催化劑,形成類似的核殼結(jié)構(gòu),能減少樣品與水和空氣的**接觸面積,從而提升樣品暴漏在外部的穩(wěn)定性。

          如圖3(b)所示,循環(huán)前后的XRD光譜分析也證實了這一說法。可以很清晰的看到在光照前后,樣品的結(jié)晶峰變化并不大,保持著循環(huán)前的峰形,且峰寬也未發(fā)生變化,說明樣品的結(jié)晶性并沒有在光照條件下降低,同時可以看到TiF3的峰有明顯的下降,這很好的復合了光照后助催化劑吸收電子而發(fā)生變化的現(xiàn)象。以上結(jié)果表明,與TiF3助催化劑相結(jié)合,BP納米片的光催化性能大大提高,且化學穩(wěn)定性也穩(wěn)步增長,在將來會是一種很有前途的**光催化劑。

          image.png

          3  (aTiF;-BP循環(huán)性能圖;(bTiF3-BP光照前后的XRD圖譜

          相關(guān)產(chǎn)品供應(yīng)

          Co2Bi2Te5 磁性拓撲絕緣體
          CoBi2Te4 磁性拓撲絕緣體
          CoBi4Se7 磁性拓撲絕緣體
          CoBi4Te7 磁性拓撲絕緣體
          Cr2Ge2Te6  CrGeTe3 磁性拓撲絕緣體
          Cr2Si2Te6   CrSiTe3 晶體
          CrBi2Te4磁性拓撲絕緣體
          CrBi4Te7 磁性拓撲絕緣體
          Mn2Bi2Se5 磁性拓撲絕緣體
          Mn2Bi2Te5 磁性拓撲絕緣體
          MnBi4Se7 磁性拓撲絕緣體
          MnBi4Te7 磁性拓撲絕緣體
          MoTe2 二碲化鉬(常規(guī)1T’)
          Ni2Bi2Te5磁性拓撲絕緣體
          NiBi2Te4 磁性拓撲絕緣體
          NiBi4Te7 磁性拓撲絕緣體晶體
          鉍單晶 Bi Crystal
          摻雜Co Bi2Se3晶體
          碲單晶 Te Crystal
          CrPS4 晶體
          Cu3Se2晶體
          GePbS3 晶體
          Cr2S3晶體
          Sb2Te3 碲化銻 晶體
          Bi2Te3 碲化鉍晶體
          Bi2Se3 硒化鉍晶體
          拓撲絕緣體-二維晶體
          Cr2Ge2Te6 晶體
          Bi2O2Se晶體  >10、25、100平方毫米
          Nb2SiTe4晶體
          ZrTe5晶體
          SbTe晶體
          Sb2S3晶體 >10、25平方毫米
          NbReS4晶體
          CrSiTe3晶體
          CdPS3 晶體
          ZrSe3 三硒化鋯晶體
          ZrSe2 二硒化鋯晶體
          ZrS3 三硫化鋯晶體
          ZrS2 二硫化鋯晶體
          ZrGeTe4晶體
          WTaSe4 鎢鉭硒晶體
          摻鈮(Nb)WSe2 二硒化鎢晶體
          摻鉬(Mo:25%) WSe2 二硒化鎢晶體
          摻錸(Re) WSe2 二硒化鎢晶體
          WSe2 二硒化鎢晶體
          WS2 二硫化鎢晶體
          SnSe2 硒化錫
          SnSe 硒化亞錫
          SnS 硫化亞錫
          Si2CuP3晶體
          ReSe2 二硒化錸晶體
          ReS2 二硫化錸晶體
          PtTe2晶體
          PbI2晶體
          Ni2SiTe4晶體
          NbTe2 晶體
          MoWSe4 鉬鎢硒晶體
          MoWS2 鉬鎢硫晶體
          MoTe2 二碲化鉬晶體
          MoSSe 鉬硫硒晶體
          摻鎢(W)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體
          摻鐵(Fe)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體
          摻鉭(Ta)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體
          摻鎳(Ni)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體
          摻鈮(Nb)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體
          摻錸(Re)MoSe2晶體
          MoSe2 二硒化鉬晶體
          摻鈮(Nb)MoS2 二硫化鉬晶體
          MoS2 二硫化鉬晶體>10、25、100平方毫米
          In2Se3晶體
          In2P3Se9 晶體
          HfTe5晶體

          zl 01.22

          庫存查詢