中文名稱：CdSe量子點(diǎn)/氧化石墨烯復(fù)合物

簡(jiǎn)稱：CdSe/GO

純度：98%

包裝：mg級(jí)和g級(jí)

貨期：一周

地址：西安

廠家：西安pg電子官方生物科技有限公司

采用一種簡(jiǎn)單的化學(xué)沉淀法成功合成了CdSe量子點(diǎn)與氧化石墨烯(GO)的復(fù)合材料.紫外-可見吸收光譜顯示,CdSe量子點(diǎn)和CdSe/GO納米復(fù)合材料的吸收邊分別出現(xiàn)在583和556nm處.與純CdSe量子點(diǎn)相比,GO層上的CdSe量子點(diǎn)的尺寸減小,由于量子限制效應(yīng),CdSe/GO納米復(fù)合材料的光吸收波長(zhǎng)在藍(lán)移,從而拓寬了CdSe/GO納米復(fù)合物的光吸收范圍.PL光譜圖顯示CdSe量子點(diǎn)的可見光區(qū)的強(qiáng)寬發(fā)光峰出現(xiàn)在缺陷態(tài)的603nm,而在576nm處觀察到CdSe/GO納米復(fù)合材料的發(fā)射峰,峰位藍(lán)移,光猝滅.GO表面上CdSe量子點(diǎn)的修飾改變了GO層間相互作用的范德華力和CdSe量子點(diǎn)與GO片相互作用的靜電作用力.這些相互作用導(dǎo)致能級(jí)的變化,使得CdSe/GO納米復(fù)合的發(fā)射峰藍(lán)移.由于復(fù)合物中電子-空穴對(duì)的復(fù)合被**,CdSe/GO納米復(fù)合材料的光致發(fā)光強(qiáng)度低于CdSe量子點(diǎn),此對(duì)應(yīng)于CdSe量子點(diǎn)到GO板的界面電荷轉(zhuǎn)移.PL研究表明,GO修飾CdSe可電子-空穴對(duì)的分離.EIS測(cè)量方法進(jìn)一步研究了CdSe量子點(diǎn)和CdSe/GO納米復(fù)合材料的電荷輸運(yùn)行為.結(jié)果顯示,加入GO后,CdSe量子點(diǎn)的阻抗值減小,表明GO的引入降低了電荷轉(zhuǎn)移電阻,其界面電荷轉(zhuǎn)移.因此,CdSe/GO納米復(fù)合材料具有較高的電荷分離效率,可以其光催化活性。

量子點(diǎn)定制產(chǎn)品目錄：

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稀土Yb摻雜水溶性CdS量子點(diǎn)

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巰基吡啶功能化CdTe量子點(diǎn)

多壁碳納米管-CdTe量子點(diǎn)復(fù)合材料

金納米顆粒-碲化鎘量子點(diǎn)材料（AuNPs/CdTe QDs）

銀納米粒子-CdTe量子點(diǎn)復(fù)合材料（AgNPs/CdTe QDs）

以上資料來(lái)自小編axc,2022.03.15

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體。