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          Cu2Se插層材料納米片陣列儲(chǔ)鈉性能研究
          
						
          
							發(fā)布時(shí)間：2020-09-01     作者：harry   分享到：
							
          
								
          
								
							
          
						
          
						
          
						
          插層材料隨著二維材料研究，而再次吸引了人們的廣泛關(guān)注。調(diào)節(jié)插層劑和插層工藝可**調(diào)控材料在相變、超導(dǎo)、催化、儲(chǔ)能等方面的應(yīng)用。在電化學(xué)儲(chǔ)能領(lǐng)域，插層材料，通過插層劑來改變層間距，從而可以**降低離子在電化學(xué)反應(yīng)過程中擴(kuò)散能壘，可實(shí)現(xiàn)提高材料倍率性能。但對(duì)于插層材料在**可控插層技術(shù)與合成工藝方面依然存在挑戰(zhàn)。



          中國科學(xué)院金屬研究所李峰研究員團(tuán)隊(duì)聯(lián)合鄭州輕工業(yè)大學(xué)方少明教授團(tuán)隊(duì)等采用綠色室溫插層合成技術(shù)，在銅箔表面生長了**的單斜Cu2Se插層納米片陣列。將該材料應(yīng)用于儲(chǔ)鈉中，可獲得較高的倍率與循環(huán)穩(wěn)定性能。金屬硒化物 (MxSey) 具有較硫化物更高的電導(dǎo)率和晶格體積，在鈉離子電池應(yīng)用中具有一定的潛力。而直接生長在作為集流體銅表面上的納米片陣列，存在定向通道將有助于電解質(zhì)離子快速傳輸，并減少導(dǎo)電劑和粘結(jié)劑使用。作為插層劑CTAB，進(jìn)入層狀Cu2Se可進(jìn)一步擴(kuò)大層間距，進(jìn)一步降低離子傳輸阻力，并**緩沖電化學(xué)過程中的體積形變。同時(shí) CTAB也一定程度上，減緩了多硒化物穿梭效應(yīng)與Cu納米粒子的生長速率。這種結(jié)合層間距調(diào)控和納米片陣列的策略將有助于新材料探索，并為相關(guān)的研究提供新的思路。相關(guān)結(jié)果發(fā)表在Advanced Energy Materials (DOI：10.1002/aenm.202000666)上。


          
						
          
						
          
							
							
						
          
					
          
				
          
			
          
		
          
	
          

    







          
		
          
			
			
			
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