在雙軸拉伸應(yīng)變?yōu)?% ~ 5%的條件下，基于密度泛函理論系統(tǒng)計(jì)算了摻鐵二維GaN的形成能、能帶結(jié)構(gòu)、介電函數(shù)、吸收系數(shù)、反射率系數(shù)和損耗函數(shù)，并詳細(xì)分析了帶隙變化的機(jī)理。

結(jié)果表明，隨著雙軸拉伸應(yīng)變的增大，F(xiàn)e-N和Ga-N的鍵長呈線性增加，帶隙呈二次變化。結(jié)果表明，二維GaN: Fe是一種直接帶隙半導(dǎo)體，其帶隙類型不受雙軸拉伸應(yīng)變的影響。

未應(yīng)變2D GaN: Fe的靜態(tài)介電常數(shù)為28.6，隨著雙軸拉伸應(yīng)變的增加，2D GaN: Fe的介電常數(shù)增大，導(dǎo)致2D GaN的電荷存儲(chǔ)容量:隨著應(yīng)變的增大，F(xiàn)e增強(qiáng)，寄生電容增大，吸收系數(shù)、折射率和損耗函數(shù)的峰值增大，表明雙軸拉伸應(yīng)變會(huì)嚴(yán)重影響二維GaN: Fe的光學(xué)性能。

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