基于**性原理計(jì)算，我們研究了PtSe2單層、Janus XPtY (X, y雙鍵，Se, Te, X≠Y)單層和h-BN單層的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性以及PtSe2 (XPtY)/BN van der Waals異質(zhì)結(jié)構(gòu)(vdWHs)的電子和光學(xué)性質(zhì)。

結(jié)果表明，SePtS/BN vdWH呈現(xiàn)獨(dú)特的ii型譜帶排列。通過(guò)外加電場(chǎng)(E-field)，可以將所有vdwh的帶對(duì)準(zhǔn)調(diào)制為i型、ii型和iii型。

有趣的是，TePtS/BN vdWH對(duì)e場(chǎng)更敏感，可以通過(guò)應(yīng)用小范圍的e場(chǎng)(~ 0.10 V/?)實(shí)現(xiàn)三種類型的波段排列。

此外，PtSe2 (XPtY)單分子膜及其與BN單分子膜的vdWHs具有較寬的紫外、可見(jiàn)光和紅外光吸收范圍，吸收峰可達(dá)105數(shù)量級(jí)。結(jié)果表明，PtSe2 (XPtY)/BN vdWHs在光電探測(cè)器和納米電子器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

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