結(jié)合密度泛函理論(DFT)計算和實驗測量，研究了(Bi, S)共摻雜ZnO的增強光電性能。

用DFT計算方法研究了純氧化鋅和(Bi, S)共摻雜氧化鋅的晶體結(jié)構(gòu)、形成能、電子性質(zhì)和光電子空穴的相對**質(zhì)量。

結(jié)果表明，Bi/S共摻雜可以產(chǎn)生雜質(zhì)態(tài)，使導(dǎo)帶移向低能區(qū)，導(dǎo)致帶隙減小。

相對**質(zhì)量表明，改性后的光生載流子的分離率有所提高。并在上述理論分析的基礎(chǔ)上進行了實驗測量。

合成了不同摻雜比例的純ZnO和Bi/S共摻雜ZnO樣品，并對其進行了表征。

結(jié)果表明，(Bi, S)的存在對晶體結(jié)構(gòu)中的氧缺陷有重要影響。

XPS、UV-vis和PL研究表明，在2%的ZnO樣品中，這些氧缺陷對帶隙變窄的作用。

如預(yù)期的那樣，2%摻雜樣品的光電流值最高(23.58 μA cm?2，是純ZnO的近4.7倍)，Nyquist半圓直徑最小。

這項工作將為高性能光電材料的設(shè)計提供一些新的見解。

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