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          光電材料|離軸4H-SiC晶體基面上位錯同步x射線形貌圖像的表面弛豫和光電吸收效應(yīng)
          發(fā)布時間:2021-12-29     作者:光電材料   分享到:

          基于射線追跡原理,建立了較為復(fù)雜的模擬模型,模擬了離軸4H-SiC晶體中基面上位錯的掠射同步x射線形貌對比,包括基面上位錯、偏轉(zhuǎn)螺紋位錯和混合位錯。

          該模型綜合了表面弛豫效應(yīng)和光電吸收效應(yīng)來預(yù)測位錯對比。

          與傳統(tǒng)的射線追蹤圖像相比,表面弛豫效應(yīng)決定了晶面附近衍射的位錯對比。

          由于光電吸收作用,隨著衍射光束在晶體內(nèi)位置的深度增加,模擬位錯對比度逐漸減弱。

          通過**滲透深度聚合得到的凈模擬位錯圖像的**特征與實驗地形圖像上觀察到的對比特征有很好的相關(guān)性。

          深度分析顯示,在某些情況下,來自位錯下方區(qū)域的衍射x射線可以提供以前沒有考慮到的額外對比特征。


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