光電材料銦錫氧化物（ITO）薄膜的載流子濃度可以通過添加錫摻雜劑提供額外的導電電子來提高。

然而，晶界周圍豐富的缺陷和雜質(zhì)導致強載流子散射。

本工作對磁控濺射制備的ITO薄膜進行超臨界co2 （SCCO2）流體處理，采用不同濃度的InCl3溶液，在晶界引入In3+離子，以調(diào)節(jié)晶界缺陷和雜質(zhì)。

經(jīng)過SCCO2流體處理后，光電材料ITO薄膜的光電性能**提高，x射線光電子能譜和正電子湮滅壽命譜的實驗結(jié)果解釋了SCCO2對ITO薄膜微觀結(jié)構(gòu)的影響。

SCCO2流體處理后，脫水作用使晶界附近的懸垂鍵鈍化，同時銦離子向晶界擴散，形成類ito晶格結(jié)構(gòu)。

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