PbS/CdS量子點(diǎn)的制備方法

PbS/CdS量子點(diǎn)的制備方法：

**步，利用金屬制備了直徑為4.8nm的PbS量子點(diǎn)。其次，將PbS量子點(diǎn)在Cd2+溶液中于65℃下暴露24h，制備出PbS核為3.8nm、殼為0.5nm的PbS/CdS量子點(diǎn)。透射電子顯微鏡（TEM）和高分辨率TEM的結(jié)果表明，PbS量子點(diǎn)呈球形，呈立方囊狀，沒(méi)有明顯的晶格缺陷。PbS/CdS量子點(diǎn)經(jīng)陽(yáng)離子交換后，其尺寸和晶型基本保持不變。X射線衍射結(jié)果還表明，PbS和PbS/CdS量子點(diǎn)均為立方晶形。

近紅外Ⅱ區(qū)熒光Ag2S量子點(diǎn)

產(chǎn)品特點(diǎn)：

采用核摻雜ZnS、表面陽(yáng)離子(Zn2+)改性以及調(diào)控表面配體制備出一系列Ag2S基量子點(diǎn), 發(fā)現(xiàn)核摻雜和表面陽(yáng)離子改性均使Ag2S基量子點(diǎn)的熒光呈現(xiàn)劑量依賴(lài)性藍(lán)移; 而將表面配體由樹(shù)枝狀短鏈(Captopril)更換為長(zhǎng)直鏈(11-巰基十一烷酸, MUA)時(shí), Ag2S基量子點(diǎn)的發(fā)射峰紅移1105 nm(近紅外II區(qū))且半峰寬更窄.

相比核摻雜和表面陽(yáng)離子改性,

近紅外區(qū)核/殼型PbS/CdS量子點(diǎn)

描述：

硫化鉛量子點(diǎn)(PbS QDs)的光氧化穩(wěn)定性差是其應(yīng)用于太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域的主要限制因素之一. 采用陽(yáng)離子交換法在合成的PbS量子點(diǎn)表面包裹一層具有更穩(wěn)定、更大禁帶寬度的硫化鎘(CdS)殼層, 制備出穩(wěn)定的核/殼型PbS/CdS量子點(diǎn); 結(jié)果表明: 陽(yáng)離子交換過(guò)程中, 離子交換反應(yīng)程度有限、僅發(fā)生在量子點(diǎn)的表面層, 但極薄的CdS殼層已能鈍化PbS量子點(diǎn)的表面缺陷、**提高其光氧化穩(wěn)定性.

關(guān)于我們：

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運(yùn)輸說(shuō)明:

低溫產(chǎn)品:低溫產(chǎn)品運(yùn)輸過(guò)程中加裝冰袋運(yùn)輸。

常溫產(chǎn)品:常溫產(chǎn)品運(yùn)輸過(guò)程中無(wú)需加冰或者特殊包裝

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