文獻(xiàn)：熱退火與基底功能化相結(jié)合驅(qū)動(dòng)嵌段共聚物圓柱體的長(zhǎng)程有序化

鏈接：https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/nn305725q

作者：佘明軒?羅廷雅?何榮明??*

節(jié)選：

本研究提出了一種新方法，用于在具有功能化 SiO2 表面的 Si 晶片上由自組裝聚苯乙烯-嵌段-聚（l-丙交酯）（PS-PLLA）形成明確納米結(jié)構(gòu)薄膜。使用功能化基底可以在 PS-PLLA 薄膜中形成大型、有序、垂直的 PLLA 圓柱體。與無(wú)規(guī)共聚物相比，通過(guò)用羥基封端的 PS（PS-OH）對(duì)基底進(jìn)行功能化，然后用羥基封端的 PLLA（PLLA-OH）對(duì)基底進(jìn)行功能化，可以形成 PS 和 PLLA 嵌段的中性基底。使用這種兩步功能化可以大大減輕 PS-OH 和 PLLA-OH 的異質(zhì)接枝。因此，可以通過(guò)控制接枝的 PS-OH 與 PLLA-OH 的比例來(lái)控制 PLLA 圓柱體在功能化 SiO2 上的取向，從而微調(diào)表面特性。然而，中性基底驅(qū)動(dòng)的取向卻出奇地有限，因?yàn)槿∠驁A柱的有效長(zhǎng)度小于疇間間距的兩倍。高溫?zé)嵬嘶鹂梢援a(chǎn)生中性空氣表面，形成距離空氣表面亞微米的垂直PLLA圓柱體。因此，中性基底可用于在高溫?zé)崽幚肀∧ぶ兄苽湔嬲�跨膜的垂直圓柱體。此外，通過(guò)進(jìn)一步提高退火溫度，可以對(duì)垂直圓柱體進(jìn)行橫向排序。能夠在具有有序紋理和亞微米厚度的薄膜中制備這些跨膜的垂直圓柱體，為其在納米技術(shù)中的應(yīng)用開(kāi)辟了可能性。

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