黑磷是一種具有高載流子遷移率、0.3~1.5 eV隨厚度可調(diào)直接帶隙以及各向異性等**性質(zhì)的二維層狀半導(dǎo)體材料，在新型電子和光電子器件等領(lǐng)域，如高遷移率場效應(yīng)晶體管、室溫寬波段紅外探測器及多光譜高分辨成像等方面具有獨特的應(yīng)用，受到廣泛關(guān)注。然而，黑磷的大規(guī)模應(yīng)用開發(fā)迄今仍受限于大面積、**薄膜的制備。傳統(tǒng)上，黑磷可以通過高溫高壓、汞催化或從鉍溶液中重結(jié)晶等方法來制備。通過礦化劑輔助氣相輸運法（CVT）則可進一步提高其產(chǎn)率和結(jié)晶度。但是，這些方法僅可獲得黑磷晶體塊材，很難直接在襯底上生長黑磷薄膜。最近，我們通過脈沖激光沉積或借鑒高溫高壓法嘗試在介質(zhì)襯底上直接生長黑磷薄膜。然而，獲得的薄膜多為非晶態(tài)，晶粒尺寸小、遷移率等電學(xué)性能不理想，離實際應(yīng)用需求相距甚遠。盡管很多研究都做出了巨大的努力，但如何在基底上實現(xiàn)黑磷成核進而高結(jié)晶性薄膜的可控生長依然是一大挑戰(zhàn)。
在這研究過程中，我們開發(fā)了一種新的生長策略，引入緩沖層Au3SnP7作為成核點，誘導(dǎo)黑磷在介質(zhì)基底上的成核生長。在以往報道的CVT方法中，以Au或AuSn作為前驅(qū)體生長黑磷晶體時，Au3SnP7是其中重要的中間產(chǎn)物之一。我們考慮以Au3SnP7來誘導(dǎo)黑磷成核，主要是注意到兩點：
1.是Au3SnP7在黑磷生長過程中可以非常穩(wěn)定地存在；
2.是其（010）面的磷原子排布與黑磷（100）面具有匹配的原子結(jié)構(gòu)。
基于此，我們通過在襯底上生成Au3SnP7來控制黑磷的成核和生長。其中Au3SnP7的形成是將沉積了Au薄膜的硅襯底與紅磷、Sn、SnI4前驅(qū)體一起在真空封管中加熱獲得，其形貌通常為分散在硅襯底上的規(guī)則形狀晶體，尺寸數(shù)百納米。在隨后的保溫過程中，發(fā)生P4相向黑磷相的轉(zhuǎn)變并在Au3SnP7緩沖層上外延成核。這一假定可以從高分辨截面TEM圖像得到應(yīng)證，可以清晰看到黑磷與Au3SnP7有序共存以及它們之間原子級平滑的界面。隨后，在持續(xù)的磷源供給及降溫過程中，會觀察到過渡態(tài)黑磷納米片產(chǎn)物及其在硅襯底上的生長、融合，**獲得表面平整潔凈的連續(xù)黑磷薄膜。
在生長過程中，P4蒸氣的過快輸運不利于黑磷薄膜形貌、厚度的控制。為了實現(xiàn)可控的黑磷薄膜生長，我們設(shè)計了幾種方法來減少參與相變轉(zhuǎn)化的P4源。其一，將紅磷置于低溫側(cè)，而黑磷薄膜的生長置于遠端的高溫側(cè)。由此，升華而成的P4分子需經(jīng)歷逆溫度梯度的熱動力學(xué)輸運到生長的襯底端，其輸運速度及參與反應(yīng)的量得以**控制。此外，將多片鍍有Au膜的硅襯底疊放，利用襯底之間非常狹小的間隙來限制擴散進入襯底間、在Au3SnP7緩沖層上實際參與生長的P4分子的量。通過這些策略，可以在硅襯底上生長出厚度從幾納米到幾百納米可調(diào)的黑磷薄膜。隨著厚度的增加，可獲得的薄膜尺寸也相應(yīng)越大。當(dāng)厚度約為100 nm或以上時，很容易生長出幾百微米至亞毫米大小的黑磷薄膜。
在生長過程中，P4蒸氣的過快輸運不利于黑磷薄膜形貌、厚度的控制。為了實現(xiàn)可控的黑磷薄膜生長，設(shè)計了幾種方法來減少參與相變轉(zhuǎn)化的P4源。其一，將紅磷置于低溫側(cè)，而黑磷薄膜的生長置于遠端的高溫側(cè)。由此，升華而成的P4分子需經(jīng)歷逆溫度梯度的熱動力學(xué)輸運到生長的襯底端，其輸運速度及參與反應(yīng)的量得以**控制。此外，將多片鍍有Au膜的硅襯底疊放，利用襯底之間非常狹小的間隙來限制擴散進入襯底間、在Au3SnP7緩沖層上實際參與生長的P4分子的量。通過這些策略，可以在硅襯底上生長出厚度從幾納米到幾百納米可調(diào)的黑磷薄膜。隨著厚度的增加，可獲得的薄膜尺寸也相應(yīng)越大。當(dāng)厚度約為100 nm或以上時，很容易生長出幾百微米至亞毫米大小的黑磷薄膜。
黑磷/黑磷量子點/鉍烯-微納光纖復(fù)合結(jié)構(gòu)的全光波長轉(zhuǎn)換器
黑磷納米片/硫化銅納米粒子的納米復(fù)合物(CuS/BPNSs)
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