要獲得**并具有一定電學(xué)參數(shù)的硅外延單晶薄膜,對定積參數(shù)應(yīng)加以研究及控制。下面我們來討論哪些淀積參數(shù)會影響外延層的質(zhì)量及電學(xué)性質(zhì).

(1）氬氣與SiCl混合氣體流動的圖案除了上述的氣流方向應(yīng)與襯底表面平行外，氣體進入反應(yīng)系統(tǒng)的入口的設(shè)計亦應(yīng)加以研究，以便獲得均勻的氣流，才能使淀積層的厚度均勻.

(2)系統(tǒng)的糖度系統(tǒng)的沾污應(yīng)盡量減到最小,才能較好地控制外延層的雜質(zhì)濃度.

(3)襯底的制備一般化學(xué)拋光比機械拋光好，所以**以顆粒大小不同的金鋼砂作順序研磨，然后用化學(xué)拋光法去掉研磨的損傷層,用去離子水沖洗千凈,再以高電阻率的有機溶劑(如甲醇)沖洗后,保持在干燥器中待用,并應(yīng)完全避免襯底表面存在任何機械損傷.

(4）橫過襯底的溫度梯度 溫度梯度應(yīng)越小越好,一-般片子的中心與邊綠的溫度差△T不大于50—10℃,以便減少由溫度梯度引起熱應(yīng)力所產(chǎn)生的位錯及其他缺陷.

(5)淀積的溫度淀積的溫度對晶體的完整性有**的影響．淀積的溫度亦會影響淀積率、厚度的變化率、電阻率的分布等．因而選擇淀積溫度時，必須保證對晶體的完整性影響不大，同時又能獲得厚度較均勻的外延單晶薄膜.

(6)淀積時間淀積時間對外延層質(zhì)量的影響,迄今倘未作過系統(tǒng)的研究,但是這個因素還是很重要的．**，整個淀積時間內(nèi)淀積率應(yīng)保持固定．**，生長過程中達(dá)到某**時間后,則晶體完整性變壞、由此可見淀積時間與外延層質(zhì)量之間的關(guān)系是有必要加以研究的。

(7) siCl,與氳氣的比率也是一個重要的因素,因為它直接影響淀積的速率,當(dāng)然與晶體的完整性亦有關(guān).

(8）氧氣的流速,它也是值接影響淀積速率及襯底雜質(zhì)原子轉(zhuǎn)移的數(shù)量.

(9) siCl,的e度，它直接影響了外延層的電阻率.

制備**的外延單晶薄膜,在某固定的反應(yīng)系統(tǒng)下,上跡這些因素應(yīng)系統(tǒng)地進行研究,獲得**條件后進行外延單晶薄膜的生長．這些條件與外延層質(zhì)量的關(guān)系刻于下表.

供應(yīng)產(chǎn)品目錄：

高遷移率層狀Bi2O2Se半導(dǎo)體薄膜

硒化鉍納米結(jié)構(gòu)薄膜

c軸取向鉍銅硒氧基氧化物熱電薄膜

用硫酸鉍制備硒化鉍熱電薄膜

**晶圓級硒氧化鉍半導(dǎo)體單晶薄膜

氧化鉍BiOx薄膜

鉍銅硒氧基類單晶薄膜

鉍氧碲Bi2O2Te薄膜

鉍碲硒Bi2Te2Se薄膜

p-型Bi-Sb-Te-Se溫差電薄膜

Bi2Te3-ySey溫差電材料薄膜

鐵鍺碲Fe3GeTe2薄膜

大面積二維鐵磁性材料Fe3GeTe2薄膜

六氰亞鐵釩薄膜

室溫鐵磁硅鍺錳半導(dǎo)體薄膜

BaxSr1—xTiO3鐵電薄膜

含鐵二氧化鈦Fe^3+/TiO2復(fù)合納米薄膜

P(VDF-TrFE)鐵電薄膜

矽鍺磊晶薄膜

鍺-二氧化硅Ge-SiO2復(fù)合薄膜

納米復(fù)合堆疊鋅銻鍺碲相變存儲薄膜

含鐵二氧化鈦(TiO2)印跡薄膜

室溫鐵磁半導(dǎo)體Co摻雜的TiO2薄膜

（Ba,Sr)TiO3(簡稱BST)鐵電薄膜

黑磷薄膜

鐵磷硫FePS3薄膜

銅錫硒(Cu2SnSe3)薄膜

金屬硒化物薄膜

銅(銦,鎵)硒及銅鋅錫硒薄膜

碘化鎳NiI2薄膜

溴化鎳NiBr2薄膜

碘化錳MnI2薄膜

銅釩磷硫CuVP2S6薄膜

二氧化釩智能溫控薄膜

銅銻硫薄膜

CulnS2薄膜

CBD硫化銦薄膜

釩氧化物薄膜

銅鉻磷硫CuCrP2S6薄膜

銅鐵錫硫(CFTS)薄膜

銅銦硫光電薄膜

鉻-氧薄膜

銅銦硒硫薄膜

鉻硅碲CrSiTe3薄膜

鎳鉻/鉻硅鈷薄膜

多元Cr-Si系硅化物薄膜

碲化鎘-硅基薄膜

嵌入多納米片的碲化鉻薄膜

三價鉻電沉積納米結(jié)構(gòu)鍍層/薄膜

鉻鍺碲CrGeTe3薄膜

鍺鎵碲硫鹵玻璃薄膜

高性能鍺銻碲相變薄膜

銀/鉻（Cr/Ag）薄膜

銅銦磷硫CuInP2S6薄膜

銅銦硫(CuInS2,簡稱CIS)半導(dǎo)體薄膜

氯化鉻CrCl3薄膜

碲化鈷CoTe2薄膜

鈷摻雜TiO2薄膜

銀釩磷硒AgVP2Se6薄膜

銀納米薄膜

銀鉍硫薄膜

鉻-銀-金薄膜

石墨烯/銀復(fù)合薄膜

銀金納米線PDMS復(fù)合薄膜

聚乙烯醇/二氧化鈦(PVAmO2)納米復(fù)合薄膜

電沉積銀銦硒薄膜

冷軋鈀銀合金薄膜

三硫化二鎵Ga2S3薄膜

FeS2復(fù)合薄膜

三硒化二鎵Ga2Se3薄膜

納米砷化鎵（GaAs）薄膜

砷化鎵（GaAs）納米結(jié)構(gòu)薄膜

砷化鎵（GaAs）多晶薄膜

GaAs/Ga2O3復(fù)合多晶薄膜

鎵銦硒GaInSe薄膜

銅銦鎵硒(Cu(In,Ga)Se_2,簡寫GIGS)薄膜

大面積銅銦鎵硒(GIGS)薄膜

磷化鎵GaP薄膜

柔性銅銦鎵硒(CIGS)薄膜

硫化鋅(ZnS)緩沖層薄膜

鎵硫碲GaSTe薄膜

基于鍺鎵碲硫鹵玻璃薄膜

ZnS1-x Tex薄膜

碲基硫?qū)倩�合物薄�?/p>

二硫化鉿HfS2薄膜

二硒化鉿HfSe2納米薄膜

二氧化鉿圖案化薄膜

具有V型能帶結(jié)構(gòu)的銻硫硒薄膜

二氧化鉿(HfO2)納米晶態(tài)薄膜

花菁染料薄膜

碲化鎘(CdTe)多晶薄膜

納米厚度的鈮基超導(dǎo)超薄薄膜

摻雜鈮和鈷元素的鋯鈦酸鉛(PZT)薄膜

碲化銣薄膜

二碲化鎳NiTe2薄膜

連續(xù)半導(dǎo)體薄膜

二硒化鉑PtSe2薄膜

大面積的二維PtSe2薄膜

TiO2/Pt/TiO2, TiO2/TiO2/Pt和Pt/TiO2/TiO2薄膜

高遷移率層狀硒氧化鉍Bi2O2Se半導(dǎo)體薄膜

yyp2021.3.24