久精品免费观看国产33,精品国产电影在线看免,在线观看aⅴ免费,久久99久久久一本精品

I-III-VI族AIS作為直接帶隙的三元硫?qū)倩�合物，躍遷過(guò)程不需要聲子的參與，具有較高的發(fā)光效率。在低溫時(shí)形成四方相的黃銅礦結(jié)構(gòu)，帶隙為1.87eV;高溫時(shí)形成正交相結(jié)構(gòu)，其帶隙約2.03eV，體材料的激子波爾半徑約為5.5nm。Ag+具有較高的反應(yīng)活性，在低溫下可通過(guò)改變前驅(qū)體比例、反應(yīng)溫度、活性劑用量、摻雜形成固溶體或核殼結(jié)構(gòu)等制備得到粒子半徑<5.5nm，具有不同結(jié)構(gòu)、可見(jiàn)光譜區(qū)顏色亮度可調(diào)的**熒光AIS系量子點(diǎn)。

AgInS2量子點(diǎn)的制備與二元半導(dǎo)體相比，AIS量子點(diǎn)作為三元半導(dǎo)體材料，其合成制備的可變因素更為豐富。由于Ag+和In3+的反應(yīng)活性存在很大差異，其與S之間形成的鍵能不一，易產(chǎn)生缺陷，而缺陷對(duì)量子點(diǎn)的發(fā)光性能有重要的影響。因此，通過(guò)控制不同的組分可影響所得量子點(diǎn)的發(fā)光性能。同時(shí)，由于AIS量子點(diǎn)尺寸僅為幾納米，表現(xiàn)出強(qiáng)的量子限域效應(yīng)使得其具備尺寸可調(diào)諧的光學(xué)性質(zhì)，但同時(shí)使其具有很高的比表面積，表面存在大量的懸空鍵和缺陷成為載流子的非輻射躍遷通道，降低了熒光量子效率。其中很重要的改善措施是在量子點(diǎn)表面包裹另一種半導(dǎo)體材料形成核殼結(jié)構(gòu)，殼結(jié)構(gòu)在發(fā)光核及外部環(huán)境之間提供一個(gè)物理屏障，降低了核納米晶的敏感性，從而大幅度提高QYs。

純度：98%

產(chǎn)地：西安

供應(yīng)商：西安pg電子官方生物科技有限公司

說(shuō)明：提供使用說(shuō)明，核磁圖譜，包裝，價(jià)格，產(chǎn)地，制備方法，應(yīng)用，穩(wěn)定性，溶解度，簡(jiǎn)單合成等各種信息

以上資料來(lái)自小編lh2022年4月7日

僅用于用于科研，不能用于人體試驗(yàn)