SOI 晶體材料,4英寸,6英寸,8英寸,0.22～50μm,埋氧層 0.4～4μm,基底層厚度 100～500μm
SOI 晶體材料,4英寸,6英寸,8英寸,0.22～50μm,埋氧層 0.4～4μm,基底層厚度 100～500μm
| 貨號 | 規(guī)格 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|
| Q-0058898 | 100mg |
1
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詢價 |
| Q-0058898 | 250mg |
1
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詢價 |
| Q-0058898 | 500mg |
1
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詢價 |
| Q-0058898 | 1g |
1
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詢價 |
| Q-0058898 | 5g |
1
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詢價 |
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業(yè)務范圍：AIE材料 | 熒光產(chǎn)品 | MOF產(chǎn)品 | 二維納米 | 糖化學 | 凝集素 | PEG
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SOI是將一薄層硅置于絕緣襯底上。基于SOI結構上的器件將在本質(zhì)上可以減小結電容和漏電流，提高開關速度，降低功耗，實現(xiàn)高速、低功耗運行。
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外形尺寸
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4英寸；6英寸；8英寸
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工藝
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Smart cut; Bonding; SIMOX
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類型
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N/P
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電阻率
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可選
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頂層單晶厚度
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0.22～50μm
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埋氧層
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0.4～4μm
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基底層厚度
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100～500μm
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TTV
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<3μm
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Particle
|
<10@0.3μm
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| 參數(shù)信息 | |
|---|---|
| 外觀狀態(tài)： | 固體或粉末 |
| 質(zhì)量指標： | 95%+ |
| 溶解條件： | 有機溶劑/水 |
| CAS號： | N/A |
| 分子量： | N/A |
| 儲存條件： | -20℃避光保存 |
| 儲存時間： | 1年 |
| 運輸條件： | 室溫2周 |
| 生產(chǎn)廠家： | 西安pg電子官方生物科技有限公司 |
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