本文所述單相Ti3SiC2三元金屬陶瓷的制備方法，以Ti粉、Si粉、C粉和Al粉為原料，步驟如下：

(1) 將原料Ti粉、Si粉、C粉和Al粉按摩爾比MTi:MSi:MC:MAl＝3:1.5:1.9:0.5稱重配料，并混合均勻得混合料；

(2) 將步驟(1)所得混合料加入模具，在10～24Mpa壓力下形成生坯；

(3) 將步驟(2)制備的生坯放入燒結(jié)爐中，在Ar氣氛圍或真空條件下升溫至1310～1500℃保溫?zé)�結(jié)至少2h，燒結(jié)時間到達(dá)后隨爐冷卻至室溫即得到單相Ti3SiC2三元金屬陶瓷。采用本**專利技術(shù)所述方法，可制備出單相高純Ti3SiC2三元金屬陶瓷，其X射線衍射譜中不存在任何雜質(zhì)峰。

單相Ti3SiC2金屬陶瓷的制備方法 本技術(shù)屬于MAX相三元金屬陶瓷制備領(lǐng)域，涉及一種高純度、單相三元Ti3SiC2金屬陶瓷的制備方法。

技術(shù)介紹 MAX相(Mn+1AXn，其中M是早期過渡金屬，A是A族元素，X是C或N)三元層狀金屬陶瓷兼具陶瓷和金屬的雙重性質(zhì)，具有可機(jī)械加工性、良好的導(dǎo)熱導(dǎo)電性等金屬性能，同時具有高彈性模量、抗氧化性和耐腐蝕性等陶瓷性能，可作為電接觸材料、高溫結(jié)構(gòu)材料、耐磨損保護(hù)涂層，適用于強(qiáng)熱沖擊、強(qiáng)輻照和高溫等嚴(yán)苛的極端環(huán)境。Ti3SiC2作為MAX相材料的代表，相對Ti3AlC2等材料具有更強(qiáng)的耐腐蝕和抗熱沖擊性能，吸引了更多關(guān)注。目前制備Ti3SiC2多采用反應(yīng)熱壓(HP)、熱等靜壓(HIP)、脈沖放電燒結(jié)(PDS)等復(fù)雜的工藝方法，但上述現(xiàn)有制備方法都無法根除TiC雜質(zhì)相，限制了其性能的應(yīng)用，且制備過程依賴于昂貴的納米原料或較大的燒結(jié)壓力條件，導(dǎo)致生產(chǎn)成本和能源消耗增大，不適用于規(guī)模化生產(chǎn)。