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MOS管，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，屬于場效應(yīng)管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時(shí)被稱為絕緣柵場效應(yīng)管。在一般電子電路中，MOS管通常被用于放大電路或開關(guān)電路。

主要分為N溝道場效應(yīng)管、P溝道場效應(yīng)管兩種構(gòu)造。

圖1                 圖2

圖1：A 、B分別是它的結(jié)構(gòu)圖和代表符號(hào)；

圖2： A 、B分別是P溝道MOS管道結(jié)構(gòu)圖和代表符號(hào)。

MOS管的工作原理：圖3是N溝道MOS管工作原理圖.

       圖3-A             圖3-B

從圖3-A可以看出，增強(qiáng)型MOS管的漏極D和源極S之間有兩個(gè)背靠背的PN結(jié)。當(dāng)柵-源電壓VGS=0時(shí)，即使加上漏-源電壓VDS，總有一個(gè)PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，漏-源極間沒有導(dǎo)電溝道（沒有電流流過），所以這時(shí)漏極電流ID=0。

在柵-源極間加上正向電壓，圖3-B所示，即VGS＞0，則柵極和硅襯底之間的SiO2絕緣層中便產(chǎn)生一個(gè)柵極指向P型硅襯底的電場，由于氧化物層是絕緣的，柵極所加電壓VGS無法形成電流，氧化物層的兩邊就形成了一個(gè)電容，VGS等效是對(duì)這個(gè)電容充電，并形成一個(gè)電場，隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在這個(gè)電容的另一邊就聚集大量的電子并形成了一個(gè)從漏極到源極的N型導(dǎo)電溝道，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VT（一般約為 2V）時(shí)，N溝道管開始導(dǎo)通，形成漏極電流ID，我們把開始形成溝道時(shí)的柵-源極電壓稱為開啟電壓，一般用VT表示�？刂茤艠O電壓VGS的大小改變了電場的強(qiáng)弱，就可以達(dá)到控制漏極電流ID的大小的目的，這也是MOS管用電場來控制電流的一個(gè)重要特點(diǎn)，所以也稱之為場效應(yīng)管。

MOS管的特性（圖解）:

1） MOS管是一個(gè)由改變電壓來控制電流的器件，所以是電壓器件。

2） MOS管道輸入特性為容性特性，所以輸入阻抗**。

圖4-A N溝道MOS管符號(hào)圖             圖4-B N溝道MOS管電壓極性及襯底連接

圖5-A P溝道MOS管符號(hào)圖            圖5-B P溝道MOS管電壓極性及襯底連接

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