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          碲化銦(InTe) <100> 取向 單晶基片
          發(fā)布時(shí)間:2022-04-28     作者:ysl   分享到:

          碲化銦晶體indium =elluride crys<<<l In2Te3周期表第 m. Gr族元素化合物半導(dǎo)體。共價(jià)鍵結(jié)合,有離子鍵成分。閃鋅礦型結(jié)構(gòu)。密度5.7撇/cm3熔點(diǎn)6fi7};。禁帶寬度 1 . C1eV,一般為n型材料。電子和空穴遷移率分別為3. 1U 2和5x 10一'm"}( V's)}熱一導(dǎo)率1.4W/(rn-It)}采{ 里奇曼法制備。用于制作紅外探測器。

          碲化銦(InTe)

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          產(chǎn)地 :西安

          純度:99%

          溫馨提示:僅用于科研,不能用于人體實(shí)驗(yàn)!

          小編:ysl2022.04.28


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