產(chǎn)品名稱：二硫化鉬量子點(diǎn)修飾二氧化鈦納米管陣列

純度：98%

包裝：mg級(jí)和g級(jí)

貨期：一周

地址：西安

廠家：西安pg電子官方生物科技有限公司

描述：我們公開(kāi)了一種電沉積二硫化鉬量子點(diǎn)修飾二氧化鈦納米管陣列的制備方法，**對(duì)基底材料表面進(jìn)行清潔預(yù)處理；配制含氟化銨和水的乙二醇溶液為電解液，對(duì)鈦基底材料進(jìn)行電化學(xué)陽(yáng)極氧化，并將其置于馬弗爐內(nèi)煅燒；再將二硫化鉬利用紅外壓片機(jī)將粉末狀至制備成片狀；后借助直流穩(wěn)壓電源，二硫化鉬片為陽(yáng)極，二氧化鈦納米管陣列作為陰極，以雙三氟甲烷磺酰亞胺鋰溶液為電解液進(jìn)行電解剝離沉積二硫化鉬量子點(diǎn)。二氧化鈦納米管陣列可控沉積二硫化鉬量子點(diǎn)，可提高TiO2的光催化效率；光吸收能力，以及利用復(fù)合材料形成p-n結(jié)，將其應(yīng)用于光催化時(shí)可提高電極對(duì)對(duì)有機(jī)污染物的光催化降解能力。

電沉積二硫化鉬量子點(diǎn)修飾二氧化鈦納米管陣列的制備方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：

(1)鈦片的預(yù)處理：對(duì)鈦片基底進(jìn)行超聲清洗；

(2)陽(yáng)極氧化法制備TiO<Sub>2</Sub>納米管陣列：以所述鈦片基底為陽(yáng)極、以鉑片電極為陰極，將所述陽(yáng)極和陰極同時(shí)插入含有NH<Sub>4</Sub>F和H<Sub>2</Sub>O的乙二醇溶液中，施加電壓使所述陽(yáng)極氧化，制得TiO<Sub>2</Sub>納米管陣列，再將所述TiO<Sub>2</Sub>納米管陣列進(jìn)行煅燒，使所述TiO<Sub>2</Sub>納米管陣列從無(wú)定型狀態(tài)的TiO<Sub>2</Sub>納米管陣列轉(zhuǎn)變成銳鈦礦的TiO<Sub>2</Sub>納米管陣列；

(3)用紅外壓片機(jī)將二硫化鉬粉末制成固體片狀的二硫化鉬納米片；

(4)將所述二硫化鉬納米片作為陽(yáng)極、所述TiO<Sub>2</Sub>納米管陣列作為陰極、雙三氟甲烷磺酰亞胺鋰水溶液作為電解液，通電、用水沖洗、干燥，制得電沉積二硫化鉬量子點(diǎn)修飾二氧化鈦納米管陣列。

量子點(diǎn)定制產(chǎn)品目錄：

巰基修飾硫化鉬量子點(diǎn)

乙二胺-β-環(huán)糊精修飾的Mn摻雜ZnS量子點(diǎn)

二茂鐵衍生物修飾Ag-In-Zn-S量子點(diǎn)

巰基乙酸修飾水溶性CdSe量子點(diǎn)

半胱氨酸表面修飾CdTe/CdS量子點(diǎn)

MAA修飾ZnO量子點(diǎn)

枸杞碳量子點(diǎn)熒光發(fā)射波長(zhǎng)為452mn

甘氨酸修飾量子點(diǎn)探針標(biāo)記活細(xì)胞

聚a-羥基酸修飾CdTe量子點(diǎn)

鉬氧根修飾四元硫化物量子點(diǎn)

L-半胱氨酸/巰基丙酸修飾CdTe量子點(diǎn)

裸玻碳(GC)電極負(fù)載石墨烯量子點(diǎn)(GQDs)

氧化石墨烯量子點(diǎn)-磷酸銀復(fù)合材料

鈮摻雜改性二氧化錫量子點(diǎn)

廠家：西安pg電子官方生物科技有限公司

以上資料來(lái)自小編axc,2022.03.15

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體。