中文名稱：巰基乙酸修飾殼核型CdTe/CdS量子點(diǎn)

英文名稱：TGA-CdTe/CdSQDs

其它別稱：巰基乙酸修飾殼核型碲化鎘/硫化鎘量子點(diǎn)

純度：98%

包裝：mg級(jí)和g級(jí)

貨期：一周

地址：西安

廠家：西安pg電子官方生物科技有限公司

合成了巰基乙酸(TGA)修飾的殼核型CdTe/CdS量子點(diǎn)(TGA-CdTe/CdSQDs)。利用紫外-可見光譜吸收、熒光光譜研究TGA-CdTe/CdSQDs與鹽酸藥根堿(JH)的相互作用機(jī)理。在pH值為7.4的tris-HCl緩沖溶液介質(zhì)中,QDs與JH相互作用后使QDs的熒光呈線性猝滅,并有良好的線性關(guān)系(r=0.9991),線性范圍0.011～10mg/L,檢出限(3σ)為3.3×10-3mg/L,因此可以作為一種快速、簡便、定量測(cè)定鹽酸藥根堿的新方法。

TGA-CdTe/CdSQDs具有高性能的熒光,當(dāng)與鹽酸藥根堿發(fā)生作用后,熒光猝滅。其熒光猝滅原因可能是量子點(diǎn)表面的電荷通過一S-CH,C0O-與鹽酸藥根堿作用而發(fā)生電荷轉(zhuǎn)移使量子點(diǎn)熒光猝滅,同時(shí)由于量子點(diǎn)外層鹽酸藥根堿的存在,可能使量子點(diǎn)電子從激發(fā)態(tài)返回基態(tài)時(shí)以光能形式釋放能量受到障礙,變?yōu)榉禽椛滠S遷,也導(dǎo)致量子點(diǎn)熒光的猝滅。由此可見，熒光猝滅的主要原因是量子點(diǎn)與**之間產(chǎn)生了電荷轉(zhuǎn)移的過程。而吸收?qǐng)D譜此時(shí)并未發(fā)生明顯的變化,并且實(shí)驗(yàn)表明,熒光猝滅作用符合Stermn-Volmer和Lineweaver-Burk公式,應(yīng)當(dāng)屬于動(dòng)態(tài)猝滅作用。其過程如Scheme2所示。

量子點(diǎn)定制產(chǎn)品目錄：

多級(jí)結(jié)構(gòu)硫化鈷鎳碳量子點(diǎn)復(fù)合材料

鎳鈷錳MOF負(fù)載氮摻雜碳量子點(diǎn)

二氧化釕量子點(diǎn)修飾五氧化二釩納米材料

石墨烯量子點(diǎn)修飾金納米顆粒

氧化亞銅量子點(diǎn)修飾氧化鋅納米線陣列

量子點(diǎn)修飾TiO2/SiO2/Fe3O4納米粒子

氧化鋅量子點(diǎn)修飾碳納米管

PVP/CdS量子點(diǎn)修飾電極

聚乙烯吡咯烷酮(PVP)表面修飾硫化鎘(CdS)半導(dǎo)體量子點(diǎn)（PVP/CdS）

石墨烯量子點(diǎn)修飾二氧化硅納米材料

石墨烯量子點(diǎn)修飾Bi2WO6復(fù)合材料

黑磷烯量子點(diǎn)修飾石墨烯薄膜

水溶性CdS量子點(diǎn)修飾原位石墨烯無酶葡萄糖

碳量子點(diǎn)修飾Bi2MoO6復(fù)合電極

Ni3C量子點(diǎn)修飾P摻雜CdS納米棒復(fù)合材料

石墨烯量子點(diǎn)修飾FeF3·0.33H2O垂直納米片陣列

磷摻雜四氧化三鈷量子點(diǎn)修飾石墨相碳化氮復(fù)合材料

鈀量子點(diǎn)修飾二氧化鈦納米管陣列

銅銦硒量子點(diǎn)修飾鈣鈦礦薄膜

鈣鈦礦量子點(diǎn)修飾磁性生物炭復(fù)合納米材料

碳量子點(diǎn)修飾多級(jí)三氧化鎢-泡沫鎳復(fù)合材料

廠家：西安pg電子官方生物科技有限公司

以上資料來自小編axc,2022.03.15

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體。