通過水相法合成了一種新型的多巰丙基poss(OctamercaptopropylPOSS，0M-POSS)修飾的CdTe量子點，該量子點的熒光量子產(chǎn)率高可達95%，本文我們討論了量子點的合成參數(shù)如CdTe比例、pH值、NAC/Cd比例等對量子點生長及發(fā)光性質(zhì)的影響，同時對OM-POSS修飾的CdTe量子點的光穩(wěn)定性和穩(wěn)定性進行了研究。

OM-POSS修飾的CdTe量子點的制備與純化在可控合成NAC修飾的CdTe量子點的基礎(chǔ)上，我們制備OM-POSS修飾的CdTe量子點，其制備過程如下。

**將0.061g的OM-POSS溶于20mL四氫呋喃(THF)中，攪拌10min后，逐滴加入NAC水溶液，其中NAC的量為1.2mmol，二者攪拌10min混合均勻后加入1mmol的CdCh2。5H2O室溫攪拌30min，得到含Cd²⁺的前驅(qū)體溶液，后續(xù)實驗步驟與NAC修飾的CdTe相同，其中NAC/OM-POSS20:1。量子點純化過程中，先用THF除去未反應(yīng)完全的OM-POSS，然后再用乙醇除掉其他的多余試劑及副產(chǎn)物。

OM-POSS修飾的高生物相容性CdTe碲化鎘熒光量子點的光譜表征

OM-POSS修飾的高生物相容性CdTe碲化鎘熒光量子點的結(jié)構(gòu)表征

OM-POSS修飾的高生物相容性CdTe碲化鎘熒光量子點的透射電子顯微鏡(TEM)表征

我們利用透射電子顯微鏡(TEM)來評價POSS-CdTe量子點的尺寸和形貌，如圖2.11所示，熒光發(fā)射波長在554nm處的POSS-CdTe量子點星均勻分散的近球形，粒度分布比較均一，約為2.7nm。

小結(jié)：我們制備了OM-POSS修飾的CdTe量子點，并且通過IR，xPs，EDS等測試手段證明了OM-POSS對CdTe的成功修飾，通過XRD和TEM表征了POSS-CdTe量子點的結(jié)構(gòu)和形貌。紫外可見吸收光譜和熒光發(fā)射光譜表明，經(jīng)過OM-POSS修飾后CdTe量子點的生長速度明顯降低，這是因為多巰基的OM-POSS與C8離子形成了更穩(wěn)定的絡(luò)合物所致。在紫外光和有氧環(huán)境中，POSS-CdTe量子點可以保持非常好的光穩(wěn)定性；而且POss-CdTe量子點在存放幾個月后，依然可以保持很高的熒光強度，具有很好的穩(wěn)定性。這是因為NAC和OM-POSS兩種修飾劑可以與Cf在量子點表面形成一層Cd-SH絡(luò)合物，這一絡(luò)合物包覆在CdTe量子點表面，可以有*鈍化量子點表面，使得量子點保持良好的發(fā)光性能。

其他量子點定制產(chǎn)品：

碳量子點修飾鐵酸鑭/凹凸棒納米復合材料

氮摻雜碳量子點修飾單層鎢酸鉍復合材料

CdSe/ZnS量子點修飾槲皮素抗菌

Pd量子點修飾氧化鉬納米纖維

碳量子點修飾氧化鋅光陽極

ZnO量子點修飾碳納米管(CNT)

鈀量子點修飾氧化鋅單晶納米線

碳量子點修飾葡萄糖氧化酶酶膜

碳量子點修飾聚吡咯納米陣列材料

碳量子點修飾二氧化鈦(TiO2)納米陣列材料

碳量子點修飾氮化鈦納米材料

硫化亞銅量子點修飾三維花狀結(jié)構(gòu)BiOBr復合光催化材料

碳量子點修飾介孔二氧化硅復合材料

Si量子點修飾TiO2電極

CdTe量子點負載ITO玻璃上

量子點修飾納米ZnO

多級結(jié)構(gòu)硫化鈷鎳碳量子點復合材料

鎳鈷錳MOF負載氮摻雜碳量子點

二氧化釕量子點修飾五氧化二釩納米材料

石墨烯量子點修飾金納米顆粒

氧化亞銅量子點修飾氧化鋅納米線陣列

量子點修飾TiO2/SiO2/Fe3O4納米粒子

氧化鋅量子點修飾碳納米管

PVP/CdS量子點修飾電極

聚乙烯吡咯烷酮(PVP)表面修飾硫化鎘(CdS)半導體量子點（PVP/CdS）

石墨烯量子點修飾二氧化硅納米材料

石墨烯量子點修飾Bi2WO6復合材料

黑磷烯量子點修飾石墨烯薄膜

水溶性CdS量子點修飾原位石墨烯無酶葡萄糖

以上資料來自小編axc,2022.03.07

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體。