采用spin-assisted-SILAR在ITO導(dǎo)電玻璃表面制備ZnS包覆PbS量子點(diǎn)薄膜，通過ZnS和PbS的交替旋涂來調(diào)控量子點(diǎn)的結(jié)構(gòu)。實(shí)現(xiàn)硫化鋅包覆硫化鉛量子點(diǎn)(ZnS/PbS QDs)結(jié)構(gòu)調(diào)控，通過光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡表征判斷PbS量子點(diǎn)薄膜表面微觀形貌；通過吸收光譜和XRD測試進(jìn)一步評估制備的量子點(diǎn)質(zhì)量，從而優(yōu)化和改進(jìn)調(diào)控工藝。圖2.5為硫化鋅ZnS包覆PbS量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)調(diào)控工藝示意圖，可分為三個(gè)部分，具體操作流程如下：

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以上資料來自小編axc,2022.03.08

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體。