提高金屬在NaCl溶液中的光致陰極保護(hù)能力是實(shí)現(xiàn)光電化學(xué)轉(zhuǎn)化在海洋腐蝕防護(hù)中的應(yīng)用的關(guān)鍵。

采用原位水熱法，以**支化TiO2納米叢(NFB)為基底，在界面加入量充足的條件下，構(gòu)建了環(huán)境友好型三維ZnIn2S4/TiO2納米花叢(NFB)光電電極。

該ZnIn2S4/TiO2 NFB納米異質(zhì)結(jié)復(fù)合材料具有**的光致CP性能。這是由于優(yōu)化的光電極結(jié)構(gòu)，具有相對(duì)負(fù)的帶電位，寬的太陽(yáng)光譜響應(yīng)，**的光感應(yīng)電子的產(chǎn)生和收集。

ZnIn2S4的形態(tài)、分布和性能隨基質(zhì)的不同而不同。純ZnIn2S4粉末是由許多薄花瓣組成的納米花球;當(dāng)ZnIn2S4生長(zhǎng)在FTO玻璃上時(shí)，ZnIn2S4花瓣垂直分布在二維結(jié)構(gòu)上;當(dāng)ZnIn2S4生長(zhǎng)在三維**分枝TiO2納米叢基底上時(shí)，形成了具有**TiO2小枝核的ZnIn2S4/TiO2 NFB結(jié)構(gòu)。

這個(gè)ZnIn2S4 /二氧化鈦負(fù)反饋光電極可以實(shí)現(xiàn)**的光誘導(dǎo)的CP純銅的性能和低合金鋼與不同-局部腐蝕電位,如銅(?0.18 V)、E40(?0.45 V), Q345(?0.55 V)和Q235碳鋼(?0.65 V)在模擬太陽(yáng)光照射下氯化鈉溶液沒(méi)有額外的洞拾荒者,光誘導(dǎo)CP電流密度分別高達(dá)170、72、63和44 μA cm?2。

**的光誘導(dǎo)CP性能與TiO2與ZnIn2S4之間的能帶結(jié)構(gòu)梯度匹配密切相關(guān)，既促進(jìn)了對(duì)太陽(yáng)光譜的增寬吸收，又促進(jìn)了光生電子空穴對(duì)的**轉(zhuǎn)移。

重要的是，ZnIn2S4的負(fù)帶電勢(shì)具有較低的表面功函數(shù)，有利于電子傳遞到未充分保護(hù)的金屬材料中，從而實(shí)現(xiàn)光誘導(dǎo)CP，該光電電極在海洋環(huán)境中具有巨大的光誘導(dǎo)CP應(yīng)用潛力。

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