在MoS2單分子層中添加缺陷可以激活惰性基面并產(chǎn)生活性位點(diǎn)，從而改善MoS2單分子層的電子和光電性能。以表面活性劑黃原酸乙酯(C2H5OC(=S)SNa)為硫源，通過常規(guī)水熱法制備了具有二維網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的富缺陷MoS2單分子層。

XRD、Raman光譜和FESEM/EDS分析結(jié)果表明，所制備的MoS2是一種富mo缺s的非晶態(tài)材料。HRTEM推斷，MoS2可能主要由單層組成，延伸至(100)平面。

AFM清楚地顯示MoS2納米片以富含缺陷的2D網(wǎng)狀單層存在，厚度約為0.62?nm。XPS進(jìn)一步證實(shí)Mo和S有豐富的空缺。

富含缺陷的二維網(wǎng)狀MoS2具有良好的析氫活性，Tafel斜率為58.4?mV/dec，析氫電位為235?mV，電荷轉(zhuǎn)移電阻為4.99 Ω，雙層電容為19.63 mF/cm2。

通過產(chǎn)生**分離的光電子和空穴，實(shí)現(xiàn)了極佳的光電轉(zhuǎn)換。在可見光照射10?h的條件下，1?g MoS2光催化黃藥己基的降解量達(dá)到~ 3400?mg。

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