隨著**化石能源的短缺和環(huán)境惡化危機的加劇，氫能作為一種清潔能源已成為一種對環(huán)境無害的替代能源。

在大多數(shù)光催化制氫的研究中，新型光催化材料對提高制氫速率起著重要作用。在本研究中，通過煅燒溫度190℃、添加PEG表面活性劑1 wt%的一系列表征，確定了合成二硫化鉬的**條件。合成MOF的**條件為銅前驅(qū)體為硝酸銅，超聲振幅為30%，煅燒溫度為240℃。

在MOS2中加入1 wt%的MOF后，形成了粒徑小、分布均勻、規(guī)則、表面孔隙大的花狀結(jié)構(gòu)，其單元被修飾成許多粗糙、多孔、高比表面積的八面體結(jié)構(gòu)。

此外，1MOF/MOS2具有**的負(fù)導(dǎo)帶邊(?0.135 V)、最小的電荷轉(zhuǎn)移電阻(Rct = 1.78 Ω)、**的光電流(11.1 mA/cm2)、**的發(fā)光光譜峰強度以及**的光催化穩(wěn)定性。

上述形態(tài)特征和光學(xué)性質(zhì)可以**形成更多的活性位點，提高電子轉(zhuǎn)移速率，**電子空穴的復(fù)合，從而使MOF/MOS2復(fù)合光催化劑的產(chǎn)氫能力達(dá)到**(626.3 μmol g?1 h?1)。

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