采用射頻磁控濺射技術(shù)，在不同濺射功率下，在非晶玻璃襯底上制備了柱狀結(jié)構(gòu)的te摻雜pbse薄膜。

研究了濺射功率對薄膜結(jié)構(gòu)和光電性能的影響。隨著濺射功率從60?W增加到140?W，薄膜的擇優(yōu)取向從(200)轉(zhuǎn)移到(111)。

光學(xué)表征表明，在近紅外和中紅外區(qū)吸收是**的。

光電測試結(jié)果表明，碲摻雜pbse薄膜在紅外光照射下具有快速穩(wěn)定的光響應(yīng)。

基于該薄膜的光敏電阻器件在反復(fù)的紅外光開、關(guān)循環(huán)下表現(xiàn)出良好的靈敏度。

薄膜的電阻變化率超過13%，較高的濺射功率產(chǎn)生較好的靈敏度。

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