利用剝離的SnS2片制備了SnS2場效應(yīng)晶體管(FET)。

詳細(xì)研究了真空退火和硫蒸汽退火對(duì)SnS2 FET電學(xué)和光電子性能的影響。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，退火后，尤其是硫蒸汽退火對(duì)SnS2 FET的電學(xué)和光電性能有很大的影響。

源漏電流隨退火的減小、閾值電壓的漂移以及光電流隨光強(qiáng)變化的指數(shù)函數(shù)都與SnS2的表面狀態(tài)密切相關(guān)。

與硫空位相關(guān)的圈閉機(jī)制可以很好地解釋這些有趣的特征。

這些結(jié)果不僅促進(jìn)了目前對(duì)二維材料中光激發(fā)載流子的產(chǎn)生、捕獲和復(fù)合行為的理解，而且激發(fā)了在基于SnS2的光電器件中的潛在應(yīng)用。

更多推存

西安pg電子官方生物科技有限公司是國內(nèi)光電材料，納米材料，聚合物；化學(xué)試劑供應(yīng)商；**于科研試劑的研發(fā)生產(chǎn)銷售。供應(yīng)有機(jī)發(fā)光材料（聚集誘導(dǎo)發(fā)光材料）和發(fā)光探針（磷脂探針和酶探針）、碳量子點(diǎn)、金屬納米簇；嵌段共聚物等一系列產(chǎn)品。sjl2022/02/17