由于硫系材料光電性質固定，制備工藝復雜，增加其應用范圍面臨挑戰(zhàn)。為了解決這一問題，需要研究不同摻雜比例的塊體陶瓷。

研究了鉬氧化物、鉬氧化物和鎵氧化物的摻雜比例對塊體陶瓷的組成、結構、形貌和發(fā)光性能的影響，通過質量損失和體積收縮分析確定了該范圍內的**摻雜比例。x射線衍射結果證實了該晶體的立方晶結構。

結果表明，通過拉曼光譜分析，鉬被成功地摻雜到基體材料中。利用x射線熒光技術研究了燒結前后塊體陶瓷的組成比變化。建立了不同濃度Mo-ZnSe /ZnS的分子結構模型。

x射線光電子能譜顯示了Zn 2p和s2p的自旋軌道，以及Mo和Ga的+3價態(tài)。光學性能得到了提高，發(fā)光波段擴大到近紅外區(qū)域。

研究結果表明，該化合物具有較好的微觀結構、光學性能和電學性能。

本研究可為硫系材料的摻雜和新型光電器件的研究提供理論和實驗參考。

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