簡單的溶劑熱法合成了不同Zn/Cd比例的ZnxCd1-xS/N-GQDs復合材料。

介紹了Zn/Cd比和N-GQDs對ZnxCd1-xS/N-GQDs性能的影響。

結(jié)果表明，通過調(diào)節(jié)Zn/Cd比例可以調(diào)節(jié)復合材料的晶體結(jié)構(gòu)和光電性能。隨著Zn含量的增加，ZnxCd1-xS/N-GQDs復合材料由六方結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榱⒎浇Y(jié)構(gòu)，衍射峰位于六方相CdS和立方相ZnS之間。

同時，通過調(diào)節(jié)Zn/Cd比值，光電流響應和電化學阻抗具有良好的可調(diào)性。

Zn0.9Cd0.1S/N-GQDs復合材料具有較高的光電流值3.79?μA?cm?2和較低的界面阻抗，優(yōu)于其他Zn/Cd比例的ZnxCd1-xS/N-GQDs復合材料。

此外，N-GQDs的引入明顯提高了半導體的光電性能。

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