在單個(gè)芯片上實(shí)現(xiàn)多個(gè)器件的垂直單片集成已經(jīng)成為克服材料和物理性能的基本限制的一種有前途的方法，通過集成解決方案，提供了利用其互補(bǔ)物理特性的獨(dú)特機(jī)會，以**提高器件性能。

在此，我們設(shè)計(jì)了一種深紫外發(fā)光二極管(DUV LED)，并集成了由p-GaN/本征GaN/n-GaN (p-i-n GaN)結(jié)構(gòu)組成的乘性光電轉(zhuǎn)換器(MPC)，以誘導(dǎo)電光轉(zhuǎn)換，從而大大提高空穴注入效率。

這種p-i-n GaN結(jié)構(gòu)**通過吸收DUV光，然后產(chǎn)生電子空穴對，起到空穴倍增器的作用。

在p-i-n GaN結(jié)構(gòu)中，新生成的電子-空穴對**被電場分開，使多個(gè)空穴被驅(qū)動(dòng)到多個(gè)量子阱中，**促進(jìn)了輻射復(fù)合，從而實(shí)現(xiàn)了21.6%的高壁塞效率(WPE)。

與傳統(tǒng)的DUV led相比，WPE增強(qiáng)了60倍。本文所演示的單片集成策略為開發(fā)**發(fā)光器件提供了思路。

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