摻雜是調(diào)節(jié)半導(dǎo)體納米材料性能的一種**方法。

特別是稀土離子摻雜因其**的光學(xué)性能而受到越來(lái)越多的關(guān)注。

然而，具有光電子結(jié)構(gòu)可控的硫化銦光電材料（In2S3）量子點(diǎn)（QDs）的設(shè)計(jì)和合成仍然是一個(gè)挑戰(zhàn)。

本文采用氣液化學(xué)沉積法合成了摻銩的In2S3量子點(diǎn)。

In2S3: Tm QDs的熒光強(qiáng)度有很大的增強(qiáng)，這可以通過(guò)調(diào)節(jié)Tm3+離子的摻雜濃度來(lái)控制。

研究了In2S3: Tm量子點(diǎn)的光電材料特性，結(jié)果表明，In2S3: Tm量子點(diǎn)具有較高的光靈敏度、較短的響應(yīng)/恢復(fù)時(shí)間和較長(zhǎng)的穩(wěn)定性。

此外，根據(jù)**性原理計(jì)算，In2S3: Tm量子點(diǎn)光電材料結(jié)構(gòu)的變化和光學(xué)性質(zhì)的增強(qiáng)主要?dú)w因于Tm3+離子的摻雜。

合成的In2S3量子點(diǎn)具有良好的發(fā)光性能和光電性能，有望在光伏、光電和傳感器等領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。

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