由Si擴(kuò)散到ZnO薄膜引起的。

基于實(shí)驗(yàn)結(jié)果構(gòu)建了不同的Si支撐ZnO模型，研究了其光電特性，

數(shù)值研究表明，ZnO:Si、ZnO:Si-int和ZnO- vo的費(fèi)米能級均移動(dòng)到導(dǎo)帶最小值，這說明它們有利于n型半導(dǎo)體的發(fā)展。

ZnO-Si-int的介電函數(shù)向較低的能量方向移動(dòng)(紅移)，其電導(dǎo)率在3eV ~ 7eV范圍內(nèi)較高，

在300 nm以上的波長范圍內(nèi)吸收和反射率都較高;

而ZnO:Si的光學(xué)性能較差，說明Si在ZnO薄膜中的擴(kuò)散導(dǎo)致了Si/ZnO異質(zhì)結(jié)光電性能的退化。

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