在光電應用中，使用氯化銦酞菁(InClPc)薄膜。

然而，這些電影并沒有得到廣泛的研究。

采用熱真空蒸發(fā)技術在清潔的摻氟氧化錫(FTO)襯底上沉積了InClPc薄膜。

采用x射線衍射和原子力顯微鏡對樣品的結構和形貌進行了檢測。

結果表明，隨著薄膜厚度從48 nm增加到137 nm，顆粒尺寸從79 nm增加到126 nm，薄膜由分布在薄膜表面的球形顆粒組成。

從250 ~ 2500 nm波長范圍內的反射光譜和透射光譜中提取了InClPc薄膜的線性光學常數(shù)。

InClPc薄膜有兩個能隙，分別為Eg1 = 1.37 eV和Eg2 = 2.84 eV，其能隙隨薄膜厚度的變化而略有變化。

根據(jù)米勒定律，計算了非線性光學參數(shù)。

采用兩個獨立的激光源(紅色He-Ne激光器和綠色二極管激光器)進行光限幅測試。

以及紅色He-Ne激光功率強度性能高。

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