采用盧瑟福后向散射光譜法和溝道法研究了氮化鎵的結(jié)構(gòu)和晶體質(zhì)量。

采用金屬-有機(jī)氣相外延法在藍(lán)寶石上生長(zhǎng)。將不同離子能量和劑量的H+、He+、N+注入GaN中。

對(duì)植入后退火進(jìn)行了研究。通過霍爾測(cè)量，我們發(fā)現(xiàn)特定溫度退火后電阻率增加了7-8個(gè)數(shù)量級(jí)，H+、He+和N+的優(yōu)化退火溫度分別約為200-400℃。

即使在600-700℃退火后，電阻率仍然很高。

我們認(rèn)為，氮化鎵樣品的電阻率變化是由空位和植入的放射性損傷引起的。

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西安pg電子官方生物科技有限公司是國(guó)內(nèi)光電材料，納米材料，聚合物；化學(xué)試劑供應(yīng)商；**于科研試劑的研發(fā)生產(chǎn)銷售。供應(yīng)有機(jī)發(fā)光材料（聚集誘導(dǎo)發(fā)光材料）和發(fā)光探針（磷脂探針和酶探針）、碳量子點(diǎn)、金屬納米簇；嵌段共聚物等一系列產(chǎn)品。sjl2022/01/17