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          光電材料|兩種季型硫代砷酸汞的溶劑熱合成、晶體結(jié)構(gòu)和光電響應(yīng)特性(III)
          發(fā)布時間:2022-01-10     作者:光電材料   分享到:

          以噻吩為礦化劑,在溶劑熱條件下制備了兩種新型硫化物CsHgAsS3(1)和Rb2HgAsS3(SH)(2)。

          化合物1在單斜晶群P21/n (no.)中結(jié)晶。14) (a = 10.121 (5), b = 6.662 (3) a, c = 10.442(5),β= 94.716(8)°,V = 701.68 (60) A3,和Z = 4)。

          化合物1的結(jié)構(gòu)為[HgS3]n4n-螺旋鏈,由HgS4四面體共S角組成。

          相鄰的[HgS3]n4n-鏈由AsS3單元連接,形成二維(2D) [Hg2As2S6]n2n -層,陰離子層之間有Cs+離子。

          化合物2在正交晶空間群Pnma (no。62) (a = 9.2524 (7), b = 7.0817 (5) a, c = 14.7023 (11), V = 963.34 (12) A3,和Z = 4)。

          2的結(jié)構(gòu)包含由HgS4四面體和AsS3三角金字塔組成的一維(1D) [Hg2As2S6(SH)2]n4n-鏈,鏈間存在電荷平衡的Rb+陽離子,它們之間存在角共用。CsHgAsS3(1)和Rb2HgAsS3(SH)(2)的UV-vis漫反射光譜測得的帶隙值分別為2.64 eV和2.62 eV。

          光電電化學(xué)實驗表明,化合物2具有良好的光電響應(yīng)性能。

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