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          酞菁|酞菁分子吸附在石墨烯拓撲缺陷上的變形和鍵合強度
          發(fā)布時間:2021-12-28     作者:酞菁   分享到:

          拓撲缺陷對游離基H2Pc和兩種三維金屬衍生物(CuPc和ZnPc)與石墨烯薄片模型相互作用的結合強度、幾何形狀和電子參數(shù)的影響。

          將含有孤立五邊形(5)、吡啶基(5665)和Stone-Wales (SW)缺陷的聚類模型與無缺陷的石墨烯模型(G)的DFT計算結果進行了比較。

          石墨烯表面的拓撲結構對通常為平面的酞菁分子的形狀有很強的影響。

          在原始和含SW缺陷的模型上,石墨烯大環(huán)總體上保持平坦,但在大多數(shù)情況下,孤立的五邊形缺陷和吡喃基單元的存在會導致酞菁體系的強烈畸變,從而增加其與石墨烯片的接觸面積。

          從而提供了兩種組分間更**的π-π堆積作用。

          在錐形5和5665納米團簇的情況下,“endo”吸附的宏觀環(huán)畸變比“exo”吸附的宏觀環(huán)畸變更明顯;反過來,5665型號的曲度更尖銳,更強。

          所有研究的配合物的非共價鍵都很強,按5665_exo <5_exo <5665_endo <G & lt;西南。

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