光電材料石墨烯氣凝膠（GA）是世界上最輕的材料，密度**。

這種低密度，結(jié)合高導(dǎo)電性，使光電材料GA成為各種應(yīng)用的一個有前途的候選者，如電池、超級電容器、傳感器等。

基于這一想法，本研究首次討論了在金屬/夾層/半導(dǎo)體肖特基器件結(jié)構(gòu)中使用遺傳算法作為界面材料的問題。

利用SEM/EDS、TEM和UV-Vis分析對GA光電材料的形貌和光學(xué)性能進(jìn)行了表征。

通過電流-電壓（I-V）研究了Ni/GA/n- si /Al器件的理想系數(shù)（n）、勢壘高度（Φb）和串聯(lián)電阻（Rs）等電參數(shù)，以了解中間層對器件性能的影響。

為此，我們使用了三種不同的近似（熱離子發(fā)射（TE）理論、Norde和張）來計算上述器件參數(shù)。

另一方面，研究了Ni/GA/n-Si/Al肖特基器件結(jié)構(gòu)在不同光強(qiáng)下的I-V特性，以確定器件的光電參數(shù)。結(jié)果表明，所制備的器件具有作為光敏二極管的應(yīng)用潛力。

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