CdSeTe/ZnS 量子點(diǎn)的簡(jiǎn)述

別稱(chēng)：水溶性CdSeTe/ZnS 量子點(diǎn)，高亮藍(lán)光CdSeTe/ZnS 量子點(diǎn)，藍(lán)色熒光量子點(diǎn)

英文名：quantum dot

波長(zhǎng)：640nm～820nm

水溶性CdSeTe/ZnS 量子點(diǎn)，高亮藍(lán)光CdSeTe/ZnS 量子點(diǎn)，藍(lán)色熒光量子點(diǎn)

一.產(chǎn)品概述

水溶性CdSeTe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSeTe為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為40%

二.儲(chǔ)存條件

儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶(hù)訂制生產(chǎn)640nm～820nm任一波長(zhǎng)不同克數(shù)的產(chǎn)品

三．量子點(diǎn)背景介紹

量子點(diǎn)（quantum dot）是在把激子在三個(gè)空間方向上束縛住的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)。有時(shí)被稱(chēng)為“人造原子”、“超晶格”、“超原子”或“量子點(diǎn)原子”，是20世紀(jì)90年代提出來(lái)的一個(gè)新概念。這種約束可以歸結(jié)于靜電勢(shì)（由外部的電極，摻雜，應(yīng)變，雜質(zhì)產(chǎn)生），兩種不同半導(dǎo)體材料的界面（例如：在自組量子點(diǎn)中），半導(dǎo)體的表面（例如：半導(dǎo)體納米晶體），或者以上三者的結(jié)合。量子點(diǎn)具有分離的量子化的能譜。所對(duì)應(yīng)的波函數(shù)在空間上位于量子點(diǎn)中，但延伸于數(shù)個(gè)晶格周期中。一個(gè)量子點(diǎn)具有少量的（1-100個(gè)）整數(shù)個(gè)的電子、電洞或電子電洞對(duì)，即其所帶的電量是元電荷的整數(shù)倍。

量子點(diǎn)因其粒徑小(1-20nm),從而具有的光學(xué)、電子和表面可修飾性等性質(zhì)，已成為納米生物光子學(xué)領(lǐng)域的新貴，被應(yīng)用在生物標(biāo)記領(lǐng)域。量子點(diǎn)溶液具備以下特點(diǎn):尺寸范圍廣、較窄的尺寸分布、良好的穩(wěn)定性以及高熒光性。量子點(diǎn)由于具有小的尺寸和大的表面積，使得其熒光性質(zhì)極易受周?chē)�環(huán)境的影響。由于量子點(diǎn)比較大的比表面積使其表面存在著大量的表面態(tài)，進(jìn)而影響量子點(diǎn)的熒光性質(zhì)。通過(guò)包覆有機(jī)或者無(wú)機(jī)殼層可以地改善量子點(diǎn)的熒光性質(zhì)，提高量子效率，增強(qiáng)光電效應(yīng)，提高其生物相容性。

四.特點(diǎn)

本產(chǎn)品具有粒徑均一，吸收光譜寬泛，發(fā)射光譜對(duì)稱(chēng)，熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。量子點(diǎn)具有大的表面效應(yīng)，隨著尺寸的減小其表面原子數(shù)增加，表面積與整體體積的比急劇增大，表面能增大，表面大量的不飽和懸鍵嚴(yán)重破壞了晶格周期性，導(dǎo)致在量子點(diǎn)表面形成了眾多空穴和電子缺陷態(tài)，影響量子點(diǎn)的發(fā)光性質(zhì)。增加量子點(diǎn)的發(fā)光效率和光、化學(xué)穩(wěn)定性就需要鈍化量子點(diǎn)的表面態(tài)。一般有兩種方法：

①量子點(diǎn)表面修飾有機(jī)配體；

②量子點(diǎn)表面包覆無(wú)機(jī)殼層。有機(jī)配體不能同時(shí)鈍化量子點(diǎn)表面的電子和空穴陷阱態(tài)，且易受水、氧侵蝕和光降解，不能使量子點(diǎn)保持長(zhǎng)期的發(fā)光和穩(wěn)定性。

光學(xué)性能對(duì)粒子尺寸的依賴(lài)性是量子點(diǎn)的和具吸引力的功能。例如，通過(guò)控制粒子的大小，CdSe量子點(diǎn)的發(fā)射光波長(zhǎng)在整個(gè)可見(jiàn)光范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)。然而，二元素量子點(diǎn)，如CdSe量子點(diǎn)，有兩個(gè)缺點(diǎn)。，其表面缺陷形成表面陷阱態(tài)，使發(fā)光效率和穩(wěn)定性降低。通過(guò)在量子點(diǎn)表面包附ZnS，形成Core-shell結(jié)構(gòu)可以降低面缺陷，但CdSe和ZnS晶格失配，在很大程度上影響其發(fā)光效率和光學(xué)穩(wěn)定性。**，量子點(diǎn)的消光系數(shù)同粒子的體積成正比例關(guān)系。標(biāo)記6nm（紅光）CdSe量子點(diǎn)的物質(zhì)發(fā)射光強(qiáng)度是2nm（綠光）量子點(diǎn)的三十倍，這會(huì)引起檢測(cè)靈敏度的差異。

五．水溶性CdSeTe/ZnS 量子點(diǎn)合成說(shuō)明（800nm）

本**選用鎘的無(wú)機(jī)鹽作為包殼用Cd前體,(TMS)2S作為包殼用S前體,形成CdS殼前體儲(chǔ)備溶液,將CdS殼前體儲(chǔ)備溶液與CdSeTe量子點(diǎn)溶液反應(yīng),獲得CdSeTe/CdS量子點(diǎn)溶液,選用鋅的無(wú)機(jī)鹽作為包殼用Zn前體,(TMS)2S作為包殼用S前體,形成ZnS殼前體儲(chǔ)備溶液,將ZnS殼前體儲(chǔ)備溶液與CdSeTe/CdS量子點(diǎn)溶液反應(yīng),獲得CdSeTe/CdS/ZnS量子點(diǎn)溶液,后純化得到所述量子點(diǎn).本**可獲得熒光發(fā)射發(fā)射波長(zhǎng)位于紅光-近紅外波段的量子點(diǎn),熒光量子產(chǎn)率高,粒徑分布均勻,穩(wěn)定性好.