CdTe和CdS 量子點的合成方法
產(chǎn)品概述
水溶性CdTe/CdS量子點產(chǎn)品是以CdTe為核心,CdS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)540nm~640nm任一波長的產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有粒徑均一,吸收光譜寬泛,發(fā)射光譜窄而對稱,熒光強度高而穩(wěn)定等特點。本公司目前可提供表面為羧基,巰基丙酸作為包覆劑的水溶性CdTe/CdS量子點。
半導(dǎo)體納米微晶體(即量子點QDs)具有優(yōu)良的光學(xué)、電學(xué)性能,已引起了人們的研究興趣。量子點的光致發(fā)光特性和電致發(fā)光特性已得到了廣泛地研究,但有關(guān)量子點化學(xué)發(fā)光特性的研究相對較少。水溶性CdS量子點易于制備,并可以通過改變其組成、尺寸、形狀和表面包被試劑來調(diào)節(jié)其發(fā)光特性。我們研究發(fā)現(xiàn),不同包被試劑的 CdTe量子點具有不同的化學(xué)發(fā)光行為,而有關(guān)包被試劑對 CdS量子點發(fā)光特性的影響還未見報道。本文分別以半胱胺鹽酸鹽(CA)、半胱氨酸(L-cys)、谷胱甘肽(GSH)為包被試劑,制備出3種粒徑相同的水溶性 CdS量子點。在優(yōu)化的實驗條件下,研究這些CdS量子點在不同氧化劑體系下的化學(xué)發(fā)光行為。實驗結(jié)果表明,包被試劑對 CdS量子點化學(xué)發(fā)光性能影響很大.因此,可以通過優(yōu)化量子點的包被試劑來提高量子點的化學(xué)發(fā)光效率。
CdTe量子點的合成
1.Te 前體的制備:稱取 0.0127gTe 粉,置于三口瓶中,加入 1.0mL十八烯,在氬氣氛圍中保持 30 分鐘。在真空箱中抽取 1.0 毫升三辛基膦,注射進入三口瓶,升溫至 300℃,保溫 3~5h 至黑色粉末完全溶解。
2.Te 前體的制備:稱取 0.0127gTe 粉,置于三口瓶中,加入 1.0mL十八烯,在氬氣氛圍中保持 30 分鐘。在真空箱中抽取 1.0 毫升三辛基膦,注射進入三口瓶,升溫至 300℃,保溫 3~5h 至黑色粉末完全溶解。
3.CdTe核量子點的制備:分別稱取0.15gODA和0.15gTOPO,迅速加入上述混合溶液中(十八胺與三正辛基膦易吸潮)。
4.充入氬氣除氧30min,逐步加熱混合溶液,待固體溶解后繼續(xù)升溫至預(yù)定溫度,將已經(jīng)澄清的碲前體快速注入反應(yīng)器中,反應(yīng)預(yù)定的時間后,繼續(xù)攪拌直至將反應(yīng)體系冷卻至室溫。
5.使用丙酮洗滌反應(yīng)產(chǎn)物,用8000rpm/min速度離心分離30min,析出固體沉淀物。重復(fù)兩次一定次數(shù)后,用環(huán)己烷溶解沉淀物溶,得到量子點的環(huán)己烷溶液,將其密封后避光保存冰箱中。
CdS量子點制備
以十八胺(ODA)為表面活性劑和溶劑合成了直徑分別為2.5nm、3.5nm和5.0nm的CdS量子點。通過改變硫的添加量可以調(diào)整量子點的大小和組成。在合成過程中,隨著硫含量的增加,CdS量子點的尺寸增大。另一方面,過量的硫?qū)⒌叵蚩瘴,表面態(tài)發(fā)射。ODA能鈍化CdS量子點表面的表面態(tài),地表面態(tài)發(fā)射。
特點
本產(chǎn)品具有粒徑均一,吸收光譜寬泛,發(fā)射光譜對稱,熒光強度高而穩(wěn)定等特點。
量子點具有大的表面效應(yīng),隨著尺寸的減小其表面原子數(shù)增加,表面積與整體體積的比急劇增大,表面能增大,表面大量的不飽和懸鍵嚴(yán)重破壞了晶格周期性,導(dǎo)致在量子點表面形成了眾多空穴和電子缺陷態(tài),影響量子點的發(fā)光性質(zhì)。增加量子點的發(fā)光效率和光、化學(xué)穩(wěn)定性就需要鈍化量子點的表面態(tài)。一般有兩種方法:①量子點表面修飾有機配體;②量子點表面包覆無機殼層。有機配體不能同時鈍化量子點表面的電子和空穴陷阱態(tài),且易受水、氧侵蝕和光降解,不能使量子點保持長期的發(fā)光和穩(wěn)定性。
相關(guān)產(chǎn)品:
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