本文提出基于PbSe量子點多波長近紅外LED的氣體檢測方法，根據(jù)近紅外氣體吸收檢測的原理，使用PbSe量子點多波長近紅外LED作為檢測光源，其發(fā)射光譜與被測氣體近紅外吸收光譜相吻合，實現(xiàn)多氣體的種類鑒別和含量檢測。

基于PbSe量子點多波長近紅外LED的制備方法，其特征在于，作為氣體檢測光源，基于PbSe量子點的近紅外LED制備方法如下：

步驟一、計算PbSe量子點的尺寸：選取900nm～1600nm波長范圍內(nèi)的一種或多種波長作為多波長近紅外LED的發(fā)射波長，應用公式1計算出PbSe量子點的尺寸，其中λ為多波長近紅外LED的發(fā)射波長，單位nm，D為PbSe量子點的尺寸，單位nm，選擇的波長及波長數(shù)量依據(jù)實際要求決定；

**步、制備PbSe量子點：根據(jù)步驟一的計算結(jié)果，制備出與之對應尺寸及數(shù)量的PbSe量子點，將制備好的PbSe量子點進行校準，使其與被測氣體吸收光譜相一致；

第三步、制備PbSe量子點與無影膠即UV膠的混合溶液：將制備好的PbSe量子點分別溶解到氯仿溶液中，分別將溶解后的PbSe和氯仿混合溶液與UV膠相混合，通過渦旋混合和超聲處理后，使其變?yōu)榫鶆蚧旌衔�，并在真空室中除去混合物中的氯仿；第四步、沉積混合溶液，

第四步、制備多波長近紅外LED1：將第三步得到的混合溶液，依據(jù)混合溶液中PbSe量子點由大尺寸至小尺寸的原則依次進行沉積，使用氮化鎵即GaN芯片作為激發(fā)光源，將制備尺寸的PbSe量子點與UV膠混合溶液沉積在GaN芯片表面作為一層，根據(jù)實際需要將其拋光為適當?shù)暮穸�；然后將尺寸�?*的PbSe量子點與UV膠混合溶液沉積在作為一層PbSe量子點層上，根據(jù)實際需要將其拋光為適當?shù)暮穸�；可根�?jù)具體需要對上述步驟一至四步過程重復操作，完成多波長近紅外LED1的制備。

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油溶性硫化鎘(CdS)量子點

紅光油溶性CdTe/CdSe/ZnS量子點

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發(fā)藍光的油溶性ZnCdS/ZnS量子點(QD)

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苯甲胺溴和苯乙胺溴鈣鈦礦薄膜

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QDs-PLGA|量子點-聚乳酸-羥基乙酸納米晶體

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油溶性PbS量子點(QDs)近紅外發(fā)射光800nm--1600nm

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黃色熒光GQD/ZIF-8復合材料

石墨烯量子點金屬有機框架復合物(QDs/MOFs)

石墨烯鹵氧鉍基復合材料

Au16/ZIF-8合金屬有機骨架材料

發(fā)黃光的油溶性CdSe量子點(QD)480nm-640nm

藍光油溶性CdS量子點(QD)360nm--460nm

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發(fā)綠光或紅光的油溶性CdSe/ZnS量子點(QD)發(fā)射480nm--660nm

發(fā)紅光的水溶性CdTe/CdSe/ZnS量子點發(fā)射620nm--820nm

水溶性CdTe/CdS量子點發(fā)射540nm--640nm

黃綠光水溶性CdSe/ZnS發(fā)射量子點480nm--660nm

發(fā)藍光的水溶性ZnCdS/ZnS量子點400nm-480nm

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