一、結(jié)構(gòu)解析
CdTe/CdSe/ZnS 量子點(diǎn):核/殼/殼結(jié)構(gòu)
組成 | 說明 |
---|---|
CdTe(核) | 窄帶隙,發(fā)射波長可調(diào),通常為紅色區(qū)域的熒光核心。 |
CdSe(中間殼層) | 緩沖層,降低晶格失配,提高熒光效率和穩(wěn)定性。 |
ZnS(外殼) | 寬禁帶材料,提供物理保護(hù),提高量子產(chǎn)率,降低毒性。 |
此種核-殼-殼結(jié)構(gòu)可通過“逐層生長”法合成,實(shí)現(xiàn)高亮度、高穩(wěn)定性、高量子產(chǎn)率的熒光納米粒子。
二、油溶性特點(diǎn)
疏水性配體包裹:如油酸(oleic acid)、**油胺(oleylamine)或三辛基氧膦(TOPO)**包覆,使其分散于:
氯仿(CHCl?)
二氯甲烷(DCM)
正己烷
苯或甲苯等非極性有機(jī)溶劑中
適合薄膜加工、發(fā)光器件制備、油相熒光檢測系統(tǒng)
三、光學(xué)性能
參數(shù) | 典型數(shù)值 |
---|---|
粒徑范圍 | ~3–8 nm(決定發(fā)射波長) |
發(fā)射峰位置 | 通常可調(diào)節(jié)在550–700 nm |
激發(fā)波長 | ~350–500 nm(激發(fā)后發(fā)射強(qiáng)烈熒光) |
量子產(chǎn)率(QY) | 可高達(dá)60–80%(取決于殼層質(zhì)量) |
穩(wěn)定性 | 良好(避免光漂白和氧化) |
四、合成方法簡述(熱注射法)
CdTe核合成:通過Cd源與Te前驅(qū)體(如TOP-Te)熱注射反應(yīng)制備CdTe核。
CdSe殼層包覆:逐步注入Se前體,進(jìn)行外延生長形成CdSe中間殼。
ZnS外殼包覆:在較低溫度下加入Zn與S前體(如ZnSt?+TOP-S)形成保護(hù)性ZnS殼。
配體調(diào)控:全過程保持油酸或TOPO作為表面穩(wěn)定劑,最終形成油溶性量子點(diǎn)。
五、應(yīng)用領(lǐng)域
應(yīng)用方向 | 說明 |
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? 熒光成像 | 高亮度量子點(diǎn)用于細(xì)胞、組織成像,信號清晰、抗光漂白。 |
? 光電器件 | 如QLED、太陽能電池中的光吸收層或發(fā)光層。 |
? 傳感器 | 熒光信號響應(yīng)某些金屬離子、pH或生物分子。 |
? 墨水與標(biāo)簽 | 用于防偽熒光油墨、高端印刷、可視化跟蹤系統(tǒng)等。 |
六、安全性說明
重金屬毒性:含Cd成分,使用中應(yīng)避免釋放至生物環(huán)境。
推薦處理方式:廢棄物應(yīng)依照危險化學(xué)品處理規(guī)范處理,避免水體和生物污染。
七、可選改性方向
若需水溶性用途,可通過:
表面配體交換(如用巰基-PEG、巰基-羧基);
或包覆親水性聚合物(如PMAO);
或構(gòu)建脂質(zhì)體/聚合物包裹體系。
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