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          CdTe/CdSe/ZnS 量子點(diǎn):核/殼/殼結(jié)構(gòu)pg電子官方生物定制
          發(fā)布時間:2025-07-07     作者:ssl   分享到:

          一、結(jié)構(gòu)解析

          CdTe/CdSe/ZnS 量子點(diǎn):核/殼/殼結(jié)構(gòu)

          組成說明
          CdTe(核)窄帶隙,發(fā)射波長可調(diào),通常為紅色區(qū)域的熒光核心。
          CdSe(中間殼層)緩沖層,降低晶格失配,提高熒光效率和穩(wěn)定性。
          ZnS(外殼)寬禁帶材料,提供物理保護(hù),提高量子產(chǎn)率,降低毒性。

          此種核-殼-殼結(jié)構(gòu)可通過“逐層生長”法合成,實(shí)現(xiàn)高亮度、高穩(wěn)定性、高量子產(chǎn)率的熒光納米粒子。


          二、油溶性特點(diǎn)

          • 疏水性配體包裹:如油酸(oleic acid)、**油胺(oleylamine)三辛基氧膦(TOPO)**包覆,使其分散于:

            • 氯仿(CHCl?)

            • 二氯甲烷(DCM)

            • 正己烷

            • 苯或甲苯等非極性有機(jī)溶劑中

          • 適合薄膜加工、發(fā)光器件制備、油相熒光檢測系統(tǒng)


          三、光學(xué)性能

          參數(shù)典型數(shù)值
          粒徑范圍~3–8 nm(決定發(fā)射波長)
          發(fā)射峰位置通常可調(diào)節(jié)在550–700 nm
          激發(fā)波長~350–500 nm(激發(fā)后發(fā)射強(qiáng)烈熒光)
          量子產(chǎn)率(QY)可高達(dá)60–80%(取決于殼層質(zhì)量)
          穩(wěn)定性良好(避免光漂白和氧化)


          四、合成方法簡述(熱注射法)

          1. CdTe核合成:通過Cd源與Te前驅(qū)體(如TOP-Te)熱注射反應(yīng)制備CdTe核。

          2. CdSe殼層包覆:逐步注入Se前體,進(jìn)行外延生長形成CdSe中間殼。

          3. ZnS外殼包覆:在較低溫度下加入Zn與S前體(如ZnSt?+TOP-S)形成保護(hù)性ZnS殼。

          4. 配體調(diào)控:全過程保持油酸或TOPO作為表面穩(wěn)定劑,最終形成油溶性量子點(diǎn)。


          五、應(yīng)用領(lǐng)域

          應(yīng)用方向說明
          ? 熒光成像高亮度量子點(diǎn)用于細(xì)胞、組織成像,信號清晰、抗光漂白。
          ? 光電器件如QLED、太陽能電池中的光吸收層或發(fā)光層。
          ? 傳感器熒光信號響應(yīng)某些金屬離子、pH或生物分子。
          ? 墨水與標(biāo)簽用于防偽熒光油墨、高端印刷、可視化跟蹤系統(tǒng)等。


          CdTe/CdSe/ZnS 量子點(diǎn)

          六、安全性說明

          • 重金屬毒性:含Cd成分,使用中應(yīng)避免釋放至生物環(huán)境。

          • 推薦處理方式:廢棄物應(yīng)依照危險化學(xué)品處理規(guī)范處理,避免水體和生物污染。


          七、可選改性方向

          • 若需水溶性用途,可通過:

            • 表面配體交換(如用巰基-PEG、巰基-羧基);

            • 或包覆親水性聚合物(如PMAO);

            • 或構(gòu)建脂質(zhì)體/聚合物包裹體系。

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