2D二維結構硒化錫SnSe的各向異性生長(含圖)

西安pg電子官方生物科技有限公司將從零維/一維/二維/三維四個分類來提供幾十個產(chǎn)品分類和幾千種納米材料產(chǎn)品，材料的材質(zhì)包含金屬納米材料和非金屬納米材料以及他們的氧化物或碳化物及復合定制材料等等，產(chǎn)品粒徑從5納米-2000納米均可選擇。

二維（2D）材料沿特定晶軸的可控各向異性生長對于探索與晶軸相關的性能至關重要，這是由于不同晶軸中原子排列的不同引起的，而相關研究仍不足。

鑒于此，近日，我們從實驗和理論角度證明了2D SnSe在不同晶軸方向上可控各向異性生長的系統(tǒng)研究。2D SnSe的各向異性生長歸因于zigzag邊緣（沿b軸）和armchair邊緣（沿c軸）之間原子結構和鍵合特征的差異，以及a軸基面的化學惰性。STEM圖像進一步驗證了矩形2D SnSe的長邊是armchair邊緣，而短邊是zigzag邊緣。氫氣可以**地調(diào)節(jié)沿b軸和c軸的生長速率，這歸因于氫氣在不同邊緣結構之間的脫附能不同。較高的氫氣濃度導致較短的b軸和較長的c軸。2D SnSe的形態(tài)可以在正方形納米片到線性納米線的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)。就a軸而言，2D SnSe通過一步快速冷卻方法**地限制在7.42 nm的最小值，并且可以通過帶有額外退火蝕刻步驟的兩步方法進一步減薄為雙層。這項研究證明了一種可行的策略，可以實現(xiàn)2D各向異性材料的結構依賴性可控生長，為各向異性材料的晶軸取向判斷以及與晶軸相關的機理提供了新的思路。

〖圖文介紹〗

圖2. 多層2D SnSe的角分辨偏振拉曼光譜。

圖3. 2D SnSe沿b軸和c軸的可控各向異性生長。

圖4. 2D SnSe沿a軸的厚度可控生長。

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溫馨提示：西安pg電子官方生物科技有限公司供應的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于其他用途，axc,2021.05.26