介紹幾種調(diào)控蜂窩狀六角片層氮化硼（BN）帶隙的方法

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由于六角片層蜂窩狀氮化硼（BN）具有類似石墨烯的結(jié)構(gòu)，BN是一種寬禁帶半導(dǎo)體，摻雜可以使其很多原始性質(zhì)得以改變�，F(xiàn)在一個(gè)很重要的研究方向就是如何在保證其蜂窩狀結(jié)構(gòu)的同時(shí)，使BN的帶隙得以收窄，成為一種**光催化劑。理想的光催化劑的能帶帶隙寬度應(yīng)該在1.8eV到2.3eV之間。

可以通過以下幾種方式調(diào)控方式使其能帶帶隙寬度在1.8eV到2.3eV之間：

1、通過摻雜C，O原子調(diào)控

在理論上和實(shí)踐中六角片層蜂窩狀氮化硼通過摻雜C，O原子都可以使其帶隙得以調(diào)控。這種摻雜在BN材料的生長過程中和后處理過程中都可以實(shí)現(xiàn)。從而使半導(dǎo)體中產(chǎn)生雜質(zhì)能級(jí)，提高可見光的吸收。

2、采用外加電場(chǎng)手段來調(diào)控雙層BN片的帶隙至可見光范圍內(nèi)。

雙層BN片在外加電場(chǎng)大小從0逐漸增至0.015 au時(shí)，帶隙隨之可以由4.45 eV減小至0.3 eV，從而可能成為**的光催化劑。

3、Stone-Wales反位缺陷調(diào)控BN納米條帶的寬帶隙

Stone-Wales缺陷使得BN納米帶的價(jià)帶頂（VBM）和導(dǎo)帶底（CBM）的占據(jù)態(tài)發(fā)生變化,從而引入了缺陷能級(jí)降低了帶隙

4、應(yīng)變調(diào)控BN片的能帶結(jié)構(gòu):

BN薄膜襯底上時(shí),由于晶格失配,將產(chǎn)生應(yīng)變。研究表明,BN片的帶隙隨拉伸應(yīng)變的增加而線性減小,且其斜率不依賴與BN片的層數(shù)。

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