貴金屬/過渡金屬及其化合物的摻雜改性類石墨相g-C3N4復(fù)合材料

西安pg電子官方生物提供各種石墨相氮化碳(g-C3N4)、石墨烯納米復(fù)合材料，提供石墨相氮化碳g-C3N4上負載各種金屬（Fe、Ni、Cu、Zn）以及過渡金屬氧化物(Fe2O3、Co3O4、CuO、ZnO),也提供非金屬（O、S、N、P）摻雜g-C3N4的定制合成。

化學(xué)摻雜改性能夠很好地改變g-C3N4的電子結(jié)構(gòu), 從而改善光催化性能，g-C3N4的摻雜主要包括了金屬摻雜和非金屬摻雜。金屬元素摻雜主要包括Fe、Ni、Cu、Zn等，一般認為將少量金屬離子摻雜到g-C3N4結(jié)構(gòu)單元中，可使其成為光生電子-空穴對的淺勢捕獲陷阱，延長電子與空穴的復(fù)合時間，從而提高了g-C3N4光催化性能。非金屬摻雜主要包括O、N、P、S、B、F等，一般認為3-s-三嗪結(jié)構(gòu)單元中的C、N、H元素被這些非金屬元素取代，從而形成了g-C3N4的晶格缺陷，從而達到光生電子-空穴對**分離的效果,導(dǎo)致光催化性能的提高。

下圖提供一種非金屬O摻雜中g-C3N4。實驗過程中先使用了溫和的H2O2對三聚氰胺進行預(yù)熱處理，通過產(chǎn)生的氫鍵形成MHP(氰胺-雙氧水)，然后在連續(xù)不斷通氮氣的同時使用550 ℃高溫鍛燒得到超分子聚集體。發(fā)現(xiàn)，氧摻雜優(yōu)化了單元結(jié)構(gòu)，增強了光吸收率與電荷分離效率，同時帶隙減小，提供光催化效果，摻雜后的材料碳原子附近的電荷密度急劇降低，氮原子附近電荷密度急劇上升。

氧摻雜g-C3N4光催化劑的合成示意圖以及帶隙

定制產(chǎn)品：

Fe鐵摻雜g-C3N4

Ni鎳摻雜g-C3N4

Cu銅摻雜g-C3N4

g-C3N4負載鈀納米顆粒

Zn鋅摻雜類石墨相g-C3N4

P摻雜g-C3N4納米片

Co分子催化劑修飾介孔g-C3N4

Ni負載在C3N4納米片

Ag負載在C3N4納米片

In修飾g-C3N4復(fù)合材料

Ni/g-C3N4材料

Ni -摻雜Mo-MOF材料

碳摻雜的g-C3N4納米片

氧摻雜g-C3N4光催化劑

S攙雜端甲基化g-C3N4納米片

氮化碳g-C3N4負載金屬納米粒子

石墨相氮化碳(g-C3N4)與Bi系化合物復(fù)合材料

碘摻雜改性石墨相氮化碳(g-C3N4)

Ce摻雜石墨相氮化碳(g-C3N4)

磷(P)摻雜石墨相氮化碳(g-C3N4)材料(P-CN)

堿金屬摻雜的石墨相氮化碳

超薄多孔N摻雜納米片組裝的三維石墨相氮化碳（g-C3N4）

介孔二氧化硅包裹g-C3N4氮化碳納米顆粒

g-C3N4負載二硫化鉬

g-C3N4負載納米銀復(fù)合材料

g-C3N4負載鎳金屬納米顆粒Ni@g-C3N4

g-C3N4負載鈀金屬納米顆粒Pd@g-C3N4

g-C3N4負載鈷納米顆粒Pt@g-C3N4

物理復(fù)合改性石墨相g-C3N4

物理復(fù)合改性是目前很方便的改進方法。選用的復(fù)合物主要有金屬材料（如普通金屬、貴金屬化和雙金屬材料），半導(dǎo)體材料（如金屬氧化物、金屬氫氧化物、金屬硫化物、金屬復(fù)合物、合成化合物、金屬有機框架以及其他），類石墨烯材料（如石墨烯、 氧化石墨烯、碳納米管等），高分子化合物（如P3HT、PANI等）。復(fù)合后g-C3N4的光催化性能都有一定提高。并且g-C3N4與復(fù)合物質(zhì)之間并非簡單的物理混合，而是充分接觸形成異質(zhì)結(jié)。由于二者導(dǎo)帶和價帶位置的差異，g-C3N4光激發(fā)產(chǎn)生的電子或空穴轉(zhuǎn)移至復(fù)合物的導(dǎo) 帶或價帶中，電子空穴分離，復(fù)合率降低，從而可以更**地利用光激發(fā)產(chǎn)生的活性粒子。

石墨相氮化碳(g-C3N4)由于其廉價、易得的優(yōu)點，廣泛應(yīng)用于光催化領(lǐng)域，但由于其光生載流子易于復(fù)合，限制了其光催化活性進一步提升。光催化制氫過程中通常需要使用犧牲試劑捕獲空穴，以提升載流子分離。窄帶隙(2.2 eV)n型半導(dǎo)體三氧化二鐵(α-Fe2O3)，由于其廉價、熱力學(xué)穩(wěn)定性和環(huán)境友好的特點，是一種潛在的可見光催化劑。

西安pg電子官方生物提供物理復(fù)合改性石墨相g-C3N4產(chǎn)品：

MoS2摻雜石墨相氮化碳(g-C3N4)

WS2摻雜石墨相氮化碳(g-C3N4)

SnS2摻雜石墨相氮化碳(g-C3N4)

TiO2摻雜石墨相氮化碳(g-C3N4)

聚乙烯醇(PVA)包覆g-C3N4

聚己內(nèi)酯(PCL)包覆g-C3N4

四氮化三碳g-C3N4負載TiO2二氧化鈦復(fù)合材料

四氮化三碳g-C3N4-半導(dǎo)體納米粒子復(fù)合材料

四氮化三碳g-C3N4負載ZnO氧化鋅納米粒子

四氮化三碳g-C3N4負載SnO2氧化錫納米顆粒

四氮化三碳g-C3N4負載MnO2二氧化錳納米顆粒

四氮化三碳g-C3N4負載CO3O4氧化鈷納米顆粒

四氮化三碳g-C3N4負載Fe3O4氧化鐵納米顆粒

四氮化三碳g-C3N4負載Fe2O3三氧化二鐵納米顆粒

g-C3N4負載NiO氧化鎳納米顆粒

g-C3N4負載Cu2O氧化亞銅納米顆粒

g-C3N4負載RuO2氧化釕納米顆粒

g-C3N4負載CdSe硒化鎘納米顆粒

g-C3N4負載Pd納米顆粒Pd@g-C3N4

g-C3N4氮化碳負載銅納米粒子

g-C3N4負載Co3O4-ZnO納米顆粒

氮化碳g-C3N4納米片負載核殼結(jié)構(gòu)

g-C3N4/硫化銅納米粒子

體相氮化碳(B-CN)和介孔石墨相氮化碳(mpg-CN)

TiO2納米顆粒均勻負載于多孔g-C3N4表面

TiO2/多孔g-C3N4納米復(fù)合材料

負載過渡金屬元素的C3N4二維納米片

負載鐵、鈷、鎳的C3N4二維納米片

氨基化C3N4氮化碳納米片（NH2-g-C3N4）

g-C3N4-CdS復(fù)合材料

g-C3N4納米片與SnS納米片復(fù)合材料

g-C3N4的非金屬摻雜主要有O、C、S、B、I、F等，

g-C3N4的金屬摻雜主要有Zn、Fe、Ni、Cu、Co和堿金屬。

BiOCl/g-C3N4異質(zhì)結(jié)

TiO2/g-C3N4異質(zhì)結(jié)

Bi2MoO6/g-C3N4異質(zhì)結(jié)

Al2O3/g-C3N4異質(zhì)結(jié)

Ag3PO4/g-C3N4等異質(zhì)結(jié)

金屬/g-C3N4異質(zhì)結(jié)

其他半導(dǎo)體/g-C3N4異質(zhì)結(jié)

碳材料/g-C3N4異質(zhì)結(jié)

導(dǎo)電聚合物/g-C3N4異質(zhì)結(jié)

可見光響應(yīng)能力的石墨相氮化碳(g-C3N4)材料

硫化鉍納米顆粒引入g-C3N4類石墨相氮化碳

不同形貌及性能的類石墨相氮化碳(g-C3N4)

u-g-C3N4呈片狀結(jié)構(gòu)石墨相氮化碳

m-g-C3N4呈塊狀結(jié)構(gòu)石墨相氮化碳

Fe2O3/g-C3N4 三氧化二鐵修飾石墨相氮化碳

黑磷納米片改性的石墨相氮化碳納米片(BPCNS)

具有三嗪和七嗪結(jié)構(gòu)的石墨相氮化碳(CNV)

銀基/石墨相氮化碳Ag/g-C3N4

氧化鋯/石墨相氮化碳復(fù)合材料ZrO2/g-C3N4

石墨相氮化碳(g-C3N4)和鈦酸鉍復(fù)合材料

Bi(12)TiO(20)/g-C3N4催化劑

載鈷介孔石墨相氮化碳(Co/mpg-C3N4)

BiVO4/石墨相氮化碳復(fù)合物(BiVO4/g-C3N4)

石墨相氮化碳(g-C3N4)表面改性的商品化LiCoO2復(fù)合材料

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溫馨提示：我們提供的產(chǎn)品僅僅用于科研，不能用于臨床（zhn2020.06）