介紹一種雙層PbS量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的光電探測(cè)器

介紹一種雙層PbS量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的光電探測(cè)器，從而全面地提升了PbS量子點(diǎn)型光電探測(cè)器的性能參數(shù)；構(gòu)造出了一種具有響應(yīng)速度快、LDR寬、探測(cè)率高等優(yōu)點(diǎn)的PbS量子點(diǎn)型光電探測(cè)器。PbS雙層量子點(diǎn)不受襯底約束，既可以生長(zhǎng)在玻璃上，又可以生長(zhǎng)在PI膜上，克服了傳統(tǒng)光電探測(cè)材料的難柔性化缺點(diǎn)。

文章主要對(duì)比研究了三種不同結(jié)構(gòu)的器件，分別是PbS量子點(diǎn)溶于TBAI配體的單層器件，PbS量子點(diǎn)溶于EDT配體的單層器件，以及將這兩種單層量子點(diǎn)結(jié)合在一起的雙層量子點(diǎn)器件。研究發(fā)現(xiàn)將兩種單層PbS量子點(diǎn)結(jié)合成的雙層量子點(diǎn)器件性能得到**提高。

圖1：PbS量子點(diǎn)的TEM表征圖、吸收譜、UPS、以及能級(jí)分布

(a) 油酸修飾過(guò)的PbS量子點(diǎn)的TEM圖；

(b) 原始油酸修飾的PbS量子點(diǎn)、PbS-TBAI量子點(diǎn)和PbS-EDT量子點(diǎn)的吸收譜；

(c) PbS-TBAI量子點(diǎn)薄膜的紫外光電子能譜（UPS），插圖為二次電子截止區(qū)放大圖；

(d) PbS-EDT量子點(diǎn)薄膜的紫外光電子能譜（UPS），插圖為二次電子截止區(qū)放大圖；

(e) PbS-TBAI和PbS-EDT的能級(jí)分布圖，虛線為費(fèi)米能級(jí)，上邊實(shí)線為導(dǎo)帶底下邊實(shí)線為價(jià)帶頂。

圖2：PbS量子點(diǎn)器件結(jié)構(gòu)示意圖、能帶圖以及光暗條件下的I-V曲線

(a) 單層PbS-TBAI器件結(jié)構(gòu)示意圖；

(b) 單層PbS-EDT器件結(jié)構(gòu)示意圖；

(c) 雙層PbS-TBAI/PbS-EDT器件結(jié)構(gòu)示意圖；

(d) 雙層PbS-TBAI/PbS-EDT結(jié)構(gòu)能帶示意圖；

(e) 三種器件的暗電流I-V曲線；

(f) 三種器件的光電流I-V曲線，測(cè)試條件：白光，0.2mW cm-2。

西安pg電子官方生物科技有限公司是國(guó)內(nèi)**的聚合物供應(yīng)商；可以合成各種復(fù)雜定制類的核殼型熒光量子點(diǎn)產(chǎn)品，我們的產(chǎn)品涉及到各種的多肽、蛋白、多糖；聚合物修飾的熒光量子點(diǎn)產(chǎn)品，pg電子官方生物提供產(chǎn)品的熒光量子產(chǎn)率高，質(zhì)量穩(wěn)定 ，價(jià)格較為便宜;對(duì)于科研機(jī)構(gòu)；支持到付；7天無(wú)條件退換貨。

定制產(chǎn)品：

核/殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)(CdTe/CdSe，CdSe/CdTe/ZnSe等)

三元量子點(diǎn)(Cu-In-Se, CuInS,等)

摻雜型量子點(diǎn)(Cu; InP等)三種不同類型近紅外量子點(diǎn)

核/殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)CdTe/CdSe

合金結(jié)構(gòu)：CdTeS, CdTex Se1-x和CdHgTe

環(huán)保友好型：CulnS, CulnSe2, Ag2S 等量子點(diǎn)

近紅外PbS、Ag2S量子點(diǎn)

近紅外PbS量子點(diǎn)

近紅外Ag2S量子點(diǎn)

PbSe量子點(diǎn)近紅外

表面油酸修飾近紅外PbS量子點(diǎn)

表面正十二硫醇修飾近紅外Ag2S量子點(diǎn)

提供不同表面基團(tuán)、溶劑、濃度、780-1600nm間任一發(fā)射波長(zhǎng)的近紅外PbS量子點(diǎn)

850nm-1250nm間任一發(fā)射波長(zhǎng)的近紅外Ag2S量子點(diǎn)

PbS@CdS近紅外量子點(diǎn)

CdHgTe近紅量子點(diǎn)（600～1350nm）

近紅外二區(qū)Ag2S量子點(diǎn)

近紅外合金和核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn) CdSeTe, CdTe/CdS/ZnS, PbSe, HgTe量子點(diǎn)

CdTe/CdS近紅外量子點(diǎn)

近紅外Ag2S硫化銀量子點(diǎn)

L-半胱氨酸-包覆的CdTe/CdSe (CYS-CdTe/CdSe)近紅外量子點(diǎn)

雙色熒光(藍(lán)色、近紅外)Ag2S-ZnS量子點(diǎn)

三色熒光(藍(lán)色、橙色、近紅外)Mn摻雜Ag2S-ZnS量子點(diǎn)

磁共振/近紅外二區(qū)熒光雙模態(tài)成像納米探針(Gd-Ag2S nanoprobe)

**CdTe/CdS近紅外量子點(diǎn)

QD700（熒光發(fā)射波長(zhǎng)為700nm的量子點(diǎn)）偶聯(lián)葉酸（FA）制得QD700-FA探針

Ald/DOX@Ag2S

近紅外1400~1650 nm的硫化鉛(PbS)量子點(diǎn)摻雜光子晶體光纖(QD-PCF)

近紅外區(qū)核/殼型PbS/CdS量子點(diǎn)

N-乙酰-L-半胱氨酸(NAC)修飾水溶性近紅外發(fā)射PbS量子點(diǎn)

含有近紅外發(fā)光的Ag2S、Ag2Se或Ag2Te量子點(diǎn)

CulnS2量子點(diǎn)敏化TiO2納米棒

CulnS2-ZnS近紅外量子點(diǎn)

CulnS2/Mo/glass

近紅外發(fā)光Ag2S-CdS核殼結(jié)構(gòu)水溶性量子點(diǎn)

Angiopep-2修飾的Ag2S量子點(diǎn)

小粒徑近紅外Ag2Se量子點(diǎn)

超小尺寸水溶性近紅外Ag2S量子點(diǎn)

近紅外熒光Ag2S量子點(diǎn)

Ag2S量子點(diǎn)及Ag2S-PEG量子點(diǎn)近紅外二區(qū)成像探針

Ag2S量子點(diǎn)(熒光發(fā)射波長(zhǎng)為1200nm)

近紅外熒光量子點(diǎn)：

近紅外熒光量子點(diǎn)(Near-infrared fluorescent quantum dots,NIRF-QDs)

發(fā)射波長(zhǎng)為800 nm近紅外熒光量子點(diǎn)

多波長(zhǎng)近紅外熒光量子點(diǎn)

近紅外發(fā)光量子點(diǎn)DMPS-CdTeQDs

L-半胱氨酸(L-Cys)的比例,在水相快速合成了近紅外CdTe量子點(diǎn)

Ag2S近紅外量子點(diǎn)

三元CdxPb1-xSe量子點(diǎn)

肽段連接的近紅外熒光量子點(diǎn)(QDs)

近紅外熒光量子點(diǎn)標(biāo)記的羥基磷灰石

近紅外發(fā)光的Ag2S、Ag2Se或Ag2Te量子點(diǎn)

近紅外發(fā)光Ag2S-CdS核殼結(jié)構(gòu)水溶性量子點(diǎn)

紅外量子點(diǎn)CdTe

近紅外1400~1650 nm的硫化鉛(PbS)量子點(diǎn)摻雜光子晶體光纖(QD-PCF)

紅外**的InAs量子點(diǎn)

紅光Sn量子點(diǎn)

近紅外量子點(diǎn)InP/ZnS

CdSe/ZnSe紅外量子點(diǎn)

近紅外PbS量子點(diǎn)

近紅外熒光Ag2S量子點(diǎn)

水溶性CdTe/CdS近紅外量子點(diǎn)

氮摻雜碳酸氧鉍(N-Bi_2O_2CO_3,N-BOC)/硒化鎘量子點(diǎn)(CdSeQDs)

PbSe量子點(diǎn)近紅外量子點(diǎn)

Ag摻雜HgS量子點(diǎn)

pH調(diào)諧的近紅外量子點(diǎn)（Ag摻雜HgS）

CdTe的II型水溶性近紅外量子點(diǎn)

**、水溶性、Ⅱ型CdTe/CdSe核殼近紅外量子點(diǎn)

CdTe/CdS@ZnS-SiO2近紅外量子點(diǎn)

CdTe/CdS/ZnS近紅外量子點(diǎn)

CdTe/CdS小核厚殼近紅外量子點(diǎn)

以上資料源于西安pg電子官方生物小編zhn2021.03.30