紅外膠體半導(dǎo)體量子點(diǎn)(PbSe/CdSe,PbSe/PbS,PbSe/SnSe或PbSe/SnS核殼量子點(diǎn)的種類(lèi)、合成方法和應(yīng)用)

紅外膠體半導(dǎo)體量子點(diǎn)
在眾多紅外量子點(diǎn)材料中，PbSe量子點(diǎn)由于具有寬的光譜調(diào)控范圍（覆蓋1200~4000nm）（圖1），在光通訊波段（1300~1550nm）高的熒光量子產(chǎn)率（接近90%）以及**的多激子效應(yīng)和高的載流子遷移率，使其在紅外光電探測(cè)和太陽(yáng)能電池中具有應(yīng)用潛力。因此，PbSe量子點(diǎn)已成為學(xué)術(shù)界和工業(yè)界重點(diǎn)關(guān)注的紅外量子點(diǎn)材料體系之一。

圖1  紅外膠體半導(dǎo)體量子點(diǎn)（禁帶寬度<1eV）的光譜調(diào)控范圍

PbSe核殼量子點(diǎn)的種類(lèi)、合成方法和應(yīng)用

圖2（a）PbSe/CdSe核殼量子點(diǎn)、（b）PbSe/PbS或PbSe/PbSexS1-x 核殼量子點(diǎn)和（b）PbSe/SnSe或PbSe/SnS核殼量子點(diǎn)能帶中電子（藍(lán)線）和空穴（紅線）波函數(shù)示意圖。

PbSe核殼量子點(diǎn)主要包括PbSe/CdSe、PbSe/PbS、PbSe/PbSexS1-x、PbSe/SnSe和PbSe/SnS核殼量子點(diǎn)（圖2）。這主要是因?yàn)檫@些殼層材料對(duì)PbSe量子點(diǎn)而言具有低的晶格錯(cuò)配率和抗氧化能力。目前，這些核殼量子點(diǎn)的主要合成方法是陽(yáng)離子交換法和交替離子層吸附生長(zhǎng)法(SILAR)。這兩種方法可以單獨(dú)使用，也可以選擇性的聯(lián)合使用。通過(guò)殼層的包覆，PbSe核殼量子點(diǎn)比裸PbSe量子點(diǎn)具有更**的抗氧化能力，使其在太陽(yáng)能電池、光電探測(cè)器、激光器和光催化領(lǐng)域具有應(yīng)用潛力。

西安pg電子官方生物科技有限公司是國(guó)內(nèi)**的聚合物供應(yīng)商；可以合成各種復(fù)雜定制類(lèi)的核殼型熒光量子點(diǎn)產(chǎn)品，我們的產(chǎn)品涉及到各種的多肽、蛋白、多糖；聚合物修飾的熒光量子點(diǎn)產(chǎn)品，pg電子官方生物提供產(chǎn)品的熒光量子產(chǎn)率高，質(zhì)量穩(wěn)定 ，價(jià)格較為便宜;對(duì)于科研機(jī)構(gòu)；支持到付；7天無(wú)條件退換貨。

定制產(chǎn)品：

近紅外 PbS 量子點(diǎn)

水溶性近紅外 PbS 量子點(diǎn) -發(fā)射峰位置 1300±50 nm

水溶性近紅外 PbS 量子點(diǎn) -發(fā)射峰位置 1300±50 nm

水溶性近紅外 PbS 量子點(diǎn) -發(fā)射峰位置 1200±50 nm

水溶性近紅外 PbS 量子點(diǎn) -發(fā)射峰位置 1200±50 nm

水溶性近紅外 PbS 量子點(diǎn) -發(fā)射峰位置 1100±50 nm

水溶性近紅外 PbS 量子點(diǎn) -發(fā)射峰位置 1100±50 nm

水溶性近紅外 PbS 量子點(diǎn) -發(fā)射峰位置 900±50 nm

水溶性近紅外 PbS 量子點(diǎn) -發(fā)射峰位置 1000±50 nm

水溶性近紅外 PbS 量子點(diǎn) -發(fā)射峰位置 1000±50 nm

水溶性近紅外 PbS 量子點(diǎn) -發(fā)射峰位置 900±50 nm

水溶性近紅外 PbS 量子點(diǎn) -發(fā)射峰位置 900±50 nm

核/殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)(CdTe/CdSe，CdSe/CdTe/ZnSe等)

三元量子點(diǎn)(Cu-In-Se, CuInS,等)

摻雜型量子點(diǎn)(Cu; InP等)三種不同類(lèi)型近紅外量子點(diǎn)

核/殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)CdTe/CdSe

合金結(jié)構(gòu)：CdTeS, CdTex Se1-x和CdHgTe

環(huán)保友好型：CulnS, CulnSe2, Ag2S 等量子點(diǎn)

近紅外PbS、Ag2S量子點(diǎn)

近紅外PbS量子點(diǎn)

近紅外Ag2S量子點(diǎn)

PbSe量子點(diǎn)近紅外

表面油酸修飾近紅外PbS量子點(diǎn)

表面正十二硫醇修飾近紅外Ag2S量子點(diǎn)

提供不同表面基團(tuán)、溶劑、濃度、780-1600nm間任一發(fā)射波長(zhǎng)的近紅外PbS量子點(diǎn)

850nm-1250nm間任一發(fā)射波長(zhǎng)的近紅外Ag2S量子點(diǎn)

PbS@CdS近紅外量子點(diǎn)

CdHgTe近紅量子點(diǎn)（600～1350nm）

近紅外二區(qū)Ag2S量子點(diǎn)

近紅外合金和核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn) CdSeTe, CdTe/CdS/ZnS, PbSe, HgTe量子點(diǎn)

CdTe/CdS近紅外量子點(diǎn)

近紅外Ag2S硫化銀量子點(diǎn)

L-半胱氨酸-包覆的CdTe/CdSe (CYS-CdTe/CdSe)近紅外量子點(diǎn)

雙色熒光(藍(lán)色、近紅外)Ag2S-ZnS量子點(diǎn)

三色熒光(藍(lán)色、橙色、近紅外)Mn摻雜Ag2S-ZnS量子點(diǎn)

磁共振/近紅外二區(qū)熒光雙模態(tài)成像納米探針(Gd-Ag2S nanoprobe)

**CdTe/CdS近紅外量子點(diǎn)

QD700（熒光發(fā)射波長(zhǎng)為700nm的量子點(diǎn)）偶聯(lián)葉酸（FA）制得QD700-FA探針

Ald/DOX@Ag2S

近紅外1400~1650 nm的硫化鉛(PbS)量子點(diǎn)摻雜光子晶體光纖(QD-PCF)

近紅外區(qū)核/殼型PbS/CdS量子點(diǎn)

N-乙酰-L-半胱氨酸(NAC)修飾水溶性近紅外發(fā)射PbS量子點(diǎn)

含有近紅外發(fā)光的Ag2S、Ag2Se或Ag2Te量子點(diǎn)

CulnS2量子點(diǎn)敏化TiO2納米棒

CulnS2-ZnS近紅外量子點(diǎn)

CulnS2/Mo/glass

近紅外發(fā)光Ag2S-CdS核殼結(jié)構(gòu)水溶性量子點(diǎn)

Angiopep-2修飾的Ag2S量子點(diǎn)

小粒徑近紅外Ag2Se量子點(diǎn)

超小尺寸水溶性近紅外Ag2S量子點(diǎn)

近紅外熒光Ag2S量子點(diǎn)

Ag2S量子點(diǎn)及Ag2S-PEG量子點(diǎn)近紅外二區(qū)成像探針

Ag2S量子點(diǎn)(熒光發(fā)射波長(zhǎng)為1200nm)

以上資料源于西安pg電子官方生物小編zhn2021.03.30