反射式高能電子衍射(Reflection high energy electron diffraction，簡稱RHEED)

RHEED的特點及原位實時監(jiān)測薄膜生長的原理：

反射式高能電子衍射（RHEED）是一種原位（In-situ）監(jiān)測薄膜生長結(jié)構(gòu)的**.工具。在鍍膜工藝中，它通常安裝在MBE系統(tǒng)上，用于薄膜結(jié)構(gòu)的原位監(jiān)測，RHEED的應(yīng)用較大地提高了MBE鍍膜條件的研究效率。

RHEED可用于監(jiān)測薄膜生長(（即使是亞單原子層)。通過RHEED 圖案特征，可以分析基底的表面再構(gòu)、基底或薄膜表面的晶體結(jié)構(gòu)。通過衍射強度的變化，可分析薄膜表面粗糙度，從而監(jiān)測薄膜生長進(jìn)度。

與低能電子衍射(Low energy electron diffraction，LEED)和透射電子衍射(Transmissionhigh energy electron diffraction，THEED）相區(qū)別，它具有很高的電子能量（10~100keV),電子與薄膜表面的反應(yīng)具有反射特性。其原理如圖所示，10~100keV的高能量電子以較小的角度（通常為1~3°)入射樣品表面，即電子束以幾乎平行于樣品表面的方向入射，發(fā)生樣品晶面的衍射后，在另一側(cè)的屏幕上可檢測到電子衍射信號，通過此信號可實時監(jiān)測薄膜的生長結(jié)構(gòu)與狀況。由于在RHEED實驗中，電子束以幾乎平行于樣品的方向入射，因此電子束僅僅透入薄膜表面兒個原子層厚度，這正好使得RHEED成為晶體表面結(jié)構(gòu)分析的強有力.工具。

電子衍射同樣可以用愛瓦爾德的倒易理論進(jìn)行分析，衍射倒易理論認(rèn)為，當(dāng)愛瓦爾德衍射球與倒易晶格點相交時，衍射就會發(fā)生。一般來說，由衍射圖案可直接判定生長的薄膜是否為單晶。如果高能電子衍射發(fā)生在具有絕對完美結(jié)構(gòu)的單晶體（Single crystalline）表面，三維的倒易晶格點將表現(xiàn)為無限的平行棒束，實際上由于熱振動和晶格的不完整性，通常表現(xiàn)為有限的平行棒束( Streaky feature)，如圖 (b)。若衍射發(fā)生在平滑的多晶體(Polycrystalline)表面，其衍射圖案為環(huán)狀。如果衍射發(fā)生在不夠平滑的晶體表面，將會形成點狀圖案(Spotty feature)，如圖 (c)。而如果高能電子入射非晶結(jié)構(gòu)表面，由于不存在規(guī)則的衍射晶面，不會得到任何衍射圖案，只是背底而已。由于反射球半徑很大，和球面相交的除（00）桿外還有（01)，(01)桿，甚至（02)，(02〉桿，這些桿形成相應(yīng)的衍射條紋。

供應(yīng)產(chǎn)品目錄：

二硒化鈮NbSe2復(fù)合薄膜

二硫化釩VS2薄膜

氮化碳(CNx)薄膜

高氮含量氮化碳（C3N4）薄膜

射頻磁控濺射沉積氮化碳(CNx)薄膜

氮化碳(CNx/TiN)復(fù)合薄膜

磷摻雜的石墨相氮化碳(CNx)薄膜

硒化鍺GeSe薄膜

二元化合物硒化亞鍺(GeSe)薄膜

**純相GeSe多晶薄膜

Ge-In-Se硫系薄膜 鍺-銦-硒薄膜

新型硒化鍺GeSe無機薄膜

硫化鍺GeS薄膜

硫化鍺-硫化稼-硫化鎘非晶薄膜

Li3PO4/GeS2復(fù)合固體電解質(zhì)薄膜

鍺復(fù)合磷酸鋰固體電解質(zhì)薄膜

硫化鍺玻璃薄膜

硒化鎵GaSe薄膜

硫化鎵GaS薄膜

碘化鉻CrI3薄膜

交叉狀碘化氧鉍納米片薄膜

p型碘化亞銅CuI薄膜

CH3NH3PbI3多晶薄膜

玻璃纖維布負(fù)載碘氧化鉍光催化薄膜

半導(dǎo)體碘化鉛薄膜

鈣鈦礦薄膜

二硫化鈦TiS2薄膜

二維納米二硫化鈦TiS2薄膜

二硒化鈦TiSe2薄膜

CulnSe2薄膜

CuMSe2(M=In,Ga,Ti)薄膜

Cu(In,Ga)Se2薄膜

二硒銅銦(鋁)薄膜

銦鍺碲In2Ge2Te6薄膜

鍺銻碲非晶薄膜

基于鍺銻碲與IV族碲化物交替堆垛的多層相變薄膜

二硫化錸（ReS2）薄膜

大面積二維的二硫化錸（ReS2）薄膜

二硫化錸（ReS2）納米片陣列薄膜

二硒化錸ReSe2薄膜

二硒化硒SnSe2薄膜

硒化后CZTSSe薄膜

二維SnSe和SnSe2薄膜

銅鋅錫硒(Cu2ZnSnSe4)薄膜

二硒化銅銦薄膜

硒化亞錫(SnSe)薄膜

銅鋅錫硒Cu_2ZnSnSe_4(CZTSe)薄膜

Ag摻雜SnSe半導(dǎo)體薄膜

二硒化鈀PdSe2薄膜

二硒化鈀二維晶態(tài)薄膜

二碲化鈀 PdTe2薄膜

內(nèi)嵌高密度鈀納米晶的介質(zhì)薄膜

鈀/鉑納米薄膜

鈀(Ⅱ)-鋅卟啉-二氧化鈦三元復(fù)合配位聚合物薄膜

單質(zhì)鈀薄膜/鈀復(fù)合多層薄膜

鈀納米薄膜

負(fù)載鈀多層復(fù)合薄膜

三碲化鋯 ZrTe2薄膜

鋯摻雜二氧化鉿基納米薄膜

**Pb(Zr0.2Ti0.8)O3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3薄膜

二維MoTe2薄膜

Cd1-xZnxTe多晶薄膜

二氧化鋯ZrO2薄膜

二硒化鉭TaSe2薄膜

二硫化鉭TaS2薄膜

鉭摻雜二氧化鈦TiO2薄膜

二硫化鉬/二硫化鎢多層摻鉭薄膜

納米結(jié)構(gòu)316L不銹鋼基摻鉭TiO_2薄膜

三硫化二銦（In2S3）薄膜

多孔三硫化二銦（In2S3）薄膜

硫化二銦(In2S3)緩沖層納米晶薄膜

具有納米網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的硫化銦納米晶陣列薄膜

堿式硝酸銅薄膜

均勻致密的In2S3/Cu2(OH)3(NO3)復(fù)合薄膜

yyp2021.3.29