外延生長(zhǎng)Fe薄膜的過(guò)程如下:

(1）準(zhǔn)備單晶基底

要實(shí)現(xiàn)外延，需要保證單晶基底表面的絕對(duì)清潔，以產(chǎn)生用于束縛沉積原子的表面晶體場(chǎng)。對(duì)于不同的基底具有不同的處理工藝。對(duì)于單晶硅基底，**依次使用氯仿、丙酮、甲醇進(jìn)行超聲清洗;其次用5%的HF對(duì)表面進(jìn)行腐蝕2分鐘，以除去表面氧化層;之后用去離子水沖洗基底，用高純氮?dú)獯蹈珊篑R上將基底安裝至真空腔內(nèi)的樣品架上:最后，在高真空中加熱至700 °C進(jìn)行除氣。對(duì)于單晶GaAs基底，**依次使用氯仿、丙酮、甲醇、去離子水進(jìn)行超聲清洗;之后用高純氮?dú)獯蹈珊篑R上將基底安裝至真空腔內(nèi)的樣品架上;在高真空中將基底快速加熱至600°C左右，使得GaAs剛剛到達(dá)分解溫度，同時(shí)觀察RHEED，當(dāng)出現(xiàn)細(xì)線衍射圖樣時(shí)立即停止加熱，逐漸冷卻至室溫，使GaAs表面經(jīng)過(guò)重構(gòu)變得平整。

(2）生長(zhǎng)條件的選擇

在完成基底準(zhǔn)備后，對(duì)生長(zhǎng)腔持續(xù)抽真空8至12小時(shí)。在生長(zhǎng)腔的真空度穩(wěn)定在10-1° mbar量級(jí)后，經(jīng)過(guò)兩個(gè)小時(shí)的時(shí)間，將Fe源升溫至1250 °C。Fe源的溫度決定了蒸發(fā)分子束的流量（生長(zhǎng)速率)，以及原子與基底接觸時(shí)的動(dòng)能（與基底溫度相配合決定是否能夠適當(dāng)沉積)，經(jīng)過(guò)查閱文獻(xiàn)和反復(fù)試驗(yàn)，確定了Fe源溫度為1250°c，基底溫度為30 °C。

(3）薄膜生長(zhǎng)過(guò)程

在升溫完成后，打開(kāi)Fe的擋板，開(kāi)始薄膜生長(zhǎng)。在生長(zhǎng)過(guò)程中，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)RHEED的圖樣并記錄，保證生長(zhǎng)過(guò)程中及生產(chǎn)完成后RHEED圖樣始終保持條形，從而確定生長(zhǎng)模式為layer by layer的生長(zhǎng)（如果是核生長(zhǎng)模式或?qū)雍松�長(zhǎng)模式，則在生長(zhǎng)過(guò)程中應(yīng)當(dāng)出現(xiàn)點(diǎn)狀圖樣與條形圖樣的轉(zhuǎn)化或交替轉(zhuǎn)化)。

如圖所示，當(dāng)基底為（100）面的單晶GaAs時(shí)（晶格常數(shù)0.565 nm)，計(jì)算出生長(zhǎng)完成后的Fe薄膜的晶格常數(shù)為0.28 nm，符合α相的固態(tài)Fe的bcc晶胞晶格常數(shù)。

對(duì)于Fe薄膜的微觀型貌特征，以在Si (111）表面生長(zhǎng)的樣品為例，表面如圖下 (a)和(b)所示，樣品厚度均勻，界面清晰，晶體結(jié)構(gòu)完整。如圖上(c)

所示，通過(guò)AFM（原子力顯微鏡）的分析軟件可以確定樣品表面的均方根粗糙度為0.9 nm，由此可知樣品表面相當(dāng)平整。需要說(shuō)明的是，對(duì)于微觀型貌來(lái)說(shuō)，不同基底生長(zhǎng)的樣品均可以達(dá)到圖中下的標(biāo)準(zhǔn)。

供應(yīng)產(chǎn)品目錄：

磷化鎵GaP薄膜

柔性銅銦鎵硒(CIGS)薄膜

硫化鋅(ZnS)緩沖層薄膜

鎵硫碲GaSTe薄膜

基于鍺鎵碲硫鹵玻璃薄膜

ZnS1-x Tex薄膜

碲基硫?qū)倩�合物薄�?/p>

二硫化鉿HfS2薄膜

二硒化鉿HfSe2納米薄膜

二氧化鉿圖案化薄膜

具有V型能帶結(jié)構(gòu)的銻硫硒薄膜

二氧化鉿(HfO2)納米晶態(tài)薄膜

花菁染料薄膜

碲化鎘(CdTe)多晶薄膜

納米厚度的鈮基超導(dǎo)超薄薄膜

摻雜鈮和鈷元素的鋯鈦酸鉛(PZT)薄膜

碲化銣薄膜

二碲化鎳NiTe2薄膜

連續(xù)半導(dǎo)體薄膜

二硒化鉑PtSe2薄膜

大面積的二維PtSe2薄膜

TiO2/Pt/TiO2, TiO2/TiO2/Pt和Pt/TiO2/TiO2薄膜

高遷移率層狀硒氧化鉍Bi2O2Se半導(dǎo)體薄膜

碲氧濺射薄膜

碲納米線柔性薄膜

三硫化二錫Sn2S3薄膜

銅鋅錫硫和硫化亞錫（CZTS和SnS）薄膜

銅錫鋅硒硫Cu2ZnSn(SSe)4薄膜

硫硒化鎘和硫硒化鋅修飾的二氧化鈦薄膜

納米二氧化釩(VO2)薄膜

半導(dǎo)體硫(硒)化鋅-錳薄膜

無(wú)擴(kuò)散阻擋層Cu-Ni-Sn三元薄膜

三元鎳磷鋁合金薄膜

鎢摻雜的硫硒化鎳薄膜

固溶體半導(dǎo)體碲硫鋅多晶薄膜ZnS1-x Tex

Zn(S,O)多晶薄膜

鋅基底表面超疏水薄膜

Zr-Al復(fù)合薄膜

大面積二硫化鋯薄膜

BaZrS3薄膜

碲化錳MnTe薄膜

碲化鎳NiTe薄膜

Cr摻雜ZnS的中間帶薄膜

銅鈷錫硫(硒)(CCTS(Se))薄膜

氧化石墨烯/硝酸銀復(fù)合薄膜

氧化石墨烯/PDDA薄膜

硫化砷AS2S3薄膜

硫化砷非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜

硫化砷玻璃薄膜

低溫生長(zhǎng)富砷的鎵砷銻薄膜

As摻雜碲鎘汞薄膜

鍺砷硒半導(dǎo)體薄膜

三硒化二鉍Bi2Se3薄膜

Sb2Te3薄膜

三碲化二鉍Bi2Te3薄膜

晶界調(diào)控n型碲化鉍薄膜

碲化鉍取向納米柱狀薄膜

碲化鉍納米薄膜

碲化鉍(Bi2Te3)化合物熱電薄膜

碲化鎘硅基薄膜

錳鉍稀土(MnBiRE)磁光薄膜

二硫化銅銦薄膜

二硫化鎢固體潤(rùn)滑薄膜

二硫化錸(ReS2)薄膜

二維二硫化鎢薄膜

二碲化鈦(TiTe2)過(guò)渡金屬二硫化物薄膜

二維碲化鉑納米薄膜

二硒化銅銦(CuInSe2,CIS )薄膜

CIGSeS/CIGSe復(fù)合薄膜

大尺寸單層硒分區(qū)摻雜二硫化鎢薄膜

銅銦鎵硒/硫/硒硫薄膜

具有光引出層的柔性氣密性薄膜

鋯鈦酸鉛(Pb(Zn0.53Ti0.47)O3,簡(jiǎn)寫(xiě)為PZT)薄膜

鋯鈦酸鉛 (PbZr0.5Ti0.5O3) 薄膜

強(qiáng)介電 Pb(Zr, Ti)O3 薄膜

強(qiáng)誘電體/高取向度PZT鐵電薄膜

Bi2-xSbxTe3基熱電薄膜

MOCVD-Pb(Zr,Ti)O_3薄膜

Pb(Zr,Ti)O3--CoFe2O4納米復(fù)合薄膜

多鐵性磁電復(fù)合薄膜

聚酰亞胺/納米Al2O3復(fù)合薄膜

金剛石薄膜

直流磁控濺射ZnO薄膜

WO3-TiO2薄膜

超疏水多孔陣列碳納米管薄膜

仿生超疏水性薄膜

摻錫TiO2復(fù)合薄膜

TiO2-SiO2超親水性薄膜

金屬離子摻雜的TiO2薄膜

納米碳纖維膜/鈷酸鋰三維同軸復(fù)合膜

含氫類(lèi)金剛石薄膜

納米結(jié)晶金剛石碳膜

三明治結(jié)構(gòu)透明導(dǎo)電薄膜

三維納米多孔石墨烯(3D-npG)薄膜

高性能的碳納米纖維柔性薄膜

石墨烯基透明導(dǎo)電薄膜

球殼狀連續(xù)異質(zhì)結(jié)構(gòu)的3D納米多孔石墨烯(hnp-G)薄膜

聚丙烯腈納米纖維薄膜

石墨烯/多孔碳膜

三維多孔碳膜

二維氮化硼納米薄膜

高性能鈉離子薄膜

多孔石墨烯/碳納米管復(fù)合薄膜(PGNs-CNT)

石墨烯/二氧化錳復(fù)合薄膜

各向異性導(dǎo)電高分子復(fù)合薄膜

碳氮化物薄膜

微納結(jié)構(gòu)薄膜

三維階層多孔金膜

大內(nèi)徑碳納米管陣列薄膜

金納米顆粒-碳復(fù)合材料催化劑薄膜

納米反應(yīng)器陣列薄膜

鐵氧體/石墨烯基納米復(fù)合薄膜

三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)鐵氧體/碳材料納米復(fù)合薄膜

具有大孔-中孔多級(jí)孔結(jié)構(gòu)的自支撐碳納米管薄膜

非晶碳基納米多層薄膜

離子液體/織構(gòu)化類(lèi)金剛石碳復(fù)合潤(rùn)滑薄膜

碳納米纖維薄膜

硫化鈷鎳納米棒-靜電紡絲碳納米纖維復(fù)合薄膜

金球/多壁碳管/聚苯胺薄膜

三維多孔碳納米管/石墨烯導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)的柔性薄膜

三維鎳納米線薄膜

超順排碳納米管薄膜

金屬摻雜DLC(Me-DLC)納米復(fù)合薄膜

C-TiO_2和C-Ni-TiO_2復(fù)合薄膜

碳基架負(fù)載二氧化錳納米片的復(fù)合薄膜

超潤(rùn)滑非晶碳膜

網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)碳納米管薄膜

二維碳基薄膜

石墨烯基納米薄膜復(fù)合材料

超級(jí)電容器柔性可彎曲薄膜

三維石墨烯/多壁碳納米管/納米金鉑復(fù)合膜(3DGN/MWCNT/Au-PtNPs)

多孔C/TiO2納米復(fù)合薄膜

碳包覆磷酸鐵鋰薄膜

WC/類(lèi)金剛石(DLC)/WS2納米復(fù)合薄膜

yyp2021.3.25