FTIR分析

圖1為納米 SiO2改性前后的FTIR。SA-納米SiO2的紅外光譜在2859 ~2 924 cm-1處和1 377 cm-1處出現(xiàn)飽和一CH2和一CH3的C一H基伸縮振動峰;與納米 SiO2對比,SA-納米 SiO2在3 445～3 500cm-1處一OH伸縮振動峰相對值變小,說明納米 SiO2表面有部分一OH與其他官能團(tuán)反應(yīng)而被覆蓋;而在1 695 cm―'處的一OH伸縮振動峰向低波數(shù)方向移動到1 661cm-1處,表明SA的一COOH與納米SiO2表面的一OH發(fā)生反應(yīng)。SA改性納米SiO2后將破壞SiO2的鏈狀團(tuán)聚結(jié)構(gòu),降低粒子間氫鍵等作用力,這對促進(jìn)納米SiO2粒子在PBT中的分散是有利的。

圖1 SA與納米SiO2和SA-納米SiO2的FTIR分析

TG分析

圖⒉為納米SiO2改性前后的熱失重分析-熱失重微分(TGA-DTG)曲線。由圖2可以看出,納米SiO2的更大失重溫度在200℃以內(nèi),納米SiO2失重主要?dú)w于其表面吸附的微量水分和表面的硅-醇基(Si—OH)。隨著溫度繼續(xù)升高到700℃,納米SiO2有失重但不明顯。SA-納米SiO2在100～450℃出現(xiàn)了3個明顯的失重峰,在低溫階段( 100~20o℃)的失重主要源于SA-納米SiO2表面吸附的微量水分;中溫階段(200～450℃)的失重主要源于SA-納米 SiO2表面的酯鍵分解。說明SA確實(shí)接枝到納米 SiO2粒子的表面。

圖2納米SiO2和SA-納米SiO2的TGA-DTG分析

采用溶液法制備了SA 功能化改性的納米SiO2粒子。FTIR 和TGA測試表明SA 的—COOH與納米SiO2表面的一OH 發(fā)生反應(yīng),在納米 SiO2表面包覆了SA。

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