基于GeSn/Ge雙層納米線光電探測器件及性能表征

研究人員利用分子束外延技術(shù)，成功制備出大面積、高密度且高長寬比的Ge納米線，并利用其作為模板，通過二次沉積法獲得了Sn組分可達~10%的GeSn/Ge雙層納米線結(jié)構(gòu)。由于納米線具有柔性且**的比表面積，能夠通過彈性形變的方式自主弛豫釋放GeSn/Ge之間晶格失配引入的應(yīng)力，從而****GeSn/Ge界面處的缺陷形成。由于GeSn具有較窄的禁帶寬度，因此基于GeSn/Ge雙層納米線的光電探測器件比Ge納米線光電探測器具有更長的探測波長，延伸到2 μm以上。為了**窄禁帶寬度GeSn引起的暗電流增加，研究人員進一步引入具有鐵電性的P(VDF-TrFE)離子膠作為柵介質(zhì)，通過側(cè)柵調(diào)控大幅降低了GeSn/Ge雙層納米線光電探測器的暗電流與靜態(tài)功耗，從而實現(xiàn)了兼具長波長與低暗電流的光電探測，對于拓展Ⅳ族材料納米線結(jié)構(gòu)在光電探測領(lǐng)域的研究與應(yīng)用具有重要參考意義。

西安pg電子官方生物提供各種不同長度的納米金線，納米鈀線，納米銠線，納米釕線，納米鋨線，納米銥線，納米鉑線，納米銀線，CdS納米線，CdSe納米線，InAS納米線，ZnSe納米線，ZnTe納米線，CdS-CdSe納米線，CdTe納米線，GaAs納米線，GaSb納米線，InP納米線，SnO2納米線，ZnO納米線，ZnS納米線，CdS納米帶，三氧化鉬納米線MoO3，單晶Sb2S3納米線，碳化硅納米線，SiO2納米線，TiO2納米線，氮化硅α-Si3N4納米線。同時實驗室提供各種納米線的改性，化學修飾，生物修飾，納米線功能化修飾定制技術(shù)。

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CdS納米線

雙光子泵浦CdS納米線激光

CdS/SiO2納米線陣列和CdS納米帶

CdS納米線陣列

CdS納米線有序陣列

ZnCr層狀雙氫氧化物納米板修飾的CdS納米線

巰基聚醚樹枝狀分子修飾的CNTs/CdS核殼納米線

ZnO/CdS修飾TiO2納米線陣列

ZnO/PbS修飾TiO2納米線陣列

TiO2/ZnO@CdS納米線陣列

CdS納米線硫脲表面修飾劑吡咯烷酮聚乙烯醇

ZnCr LDH修飾CdS納米線

碳點修飾硫化鎘納米線

TiO2納米線上敏化CdS量子點

Au、CdS納米粒子對TiO2納米線進行修飾

CdS納米線硫脲表面修飾劑吡咯烷酮聚乙烯醇

ZnCr LDH修飾CdS納米線

0D/1D碳點修飾硫化鎘納米線

硫化鎘納米線CdS修飾g-C3N4/ZnO

Mn摻雜的CdS量子點修飾于Ti02納米線基底表面

熒光標記CdS納米線

谷胱甘肽包被的CdSe/CdS納米線

二氧化硅(SiO2)包覆CdS納米線

CdS納米線,納米帶定制

以上資料來自西安pg電子官方生物小編zhn2021.03.4