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          核殼結(jié)構(gòu)的SiC@SiO2納米線制備環(huán)氧/SiC@SiO2復(fù)合材料過程
          發(fā)布時(shí)間:2021-03-03     作者:zhn   分享到:

          核殼結(jié)構(gòu)的SiC@SiO2納米線制備環(huán)氧/SiC@SiO2復(fù)合材料過程

          使用像SiC納米線(NWs)這樣的新型具有**物理性能的填充物,可以獲得具有非常低的CTE,不匹配硅性質(zhì)的新型電子封裝復(fù)合材料。下文介紹核殼結(jié)構(gòu)的SiC@SiO2納米線制備環(huán)氧/SiC@SiO2復(fù)合材料過程。


          1)制備核殼SiC@SiO2 NWs,將所需數(shù)量的SiC,NWs添加到石墨坩堝,放置在空氣中的高頻加熱爐從室溫加熱到1500°C,加熱時(shí)間分別維持在15、20、25和60秒。

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          在不同加熱時(shí)間下SiC納米線表面SiO2殼層的厚度變化情況


          將所需數(shù)量的 Nd(III)acac 添加進(jìn)一個(gè)脂環(huán)族的環(huán)氧樹脂,隨后在80°C三頸燒瓶中攪拌2 h。然后將均勻溶液冷卻到室溫。在一個(gè)超聲水浴中,在乙醇中分離出所需量(0.5、1.0、1.5、2.0、2.5 wt %),然后加入預(yù)測(cè)定的環(huán)氧樹脂量在超聲波環(huán)境下持續(xù)0.5小時(shí)。統(tǒng)一形成的混合物被放置在一個(gè)燒杯中在80°C水浴下機(jī)械攪拌,直到乙醇完全蒸發(fā)。將固化劑以100:95(環(huán)氧:固化劑)比例加入燒杯,攪拌20分鐘。得到的混合物在真空烤箱中進(jìn)一步脫氣10分鐘以去除氣泡。最后,均勻分散SiC@SiO2 NWs的環(huán)氧樹脂混合物在135°C下穩(wěn)定 2 h,在165°C下穩(wěn)定14 h。固化過程后,樣品自然冷卻到室溫,然后用砂紙打磨成不同的形狀。


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          實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明添加2.5 wt%的SiC@SiO2 NWs在環(huán)氧樹脂中,其導(dǎo)熱系數(shù)達(dá)到了0.391 Wm-1K-1,相比純環(huán)氧樹脂提高了79.4%,SiC@SiO2 NWs相比于SIC NW的親水性也有提高(如圖1所示),同時(shí)熱穩(wěn)定等性能也有一定程度地提高(如圖2所示)。另外對(duì)比研究了SiC@SiO2納米線與SiC納米線對(duì)環(huán)氧樹脂導(dǎo)熱等性能的影響,環(huán)氧/SiC@SiO2復(fù)合材料的性能均優(yōu)于環(huán)氧/SiC復(fù)合材料。這種新型環(huán)氧樹脂復(fù)合材料將在電子封裝等領(lǐng)域具有很好的應(yīng)用前景。

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          以上資料來自西安pg電子官方生物小編(zhn2021.03.03)


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